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In-depth resolution for LBIC technique by two-photon absorption
Wan, D.; Pouget, V.; Douin, A.; Jaulent, P.; Lewis, D.; Fouillat, P. Springer Science + Business Media 2007 p.371-375
Structural peculiarities of 4H-SiC irradiated by Bi ions
Kalinina, E. V.; Skuratov, V. A.; Sitnikova, A. A.; Kolesnikova, E. V.; Tregubova, A. S.; Shcheglov, M. P. Springer Science + Business Media 2007 p.376-380
Si and Ge nanocluster formation in silica matrix
Salh, R.; Fitting, L.; Kolesnikova, E. V.; Sitnikova, A. A.; Zamoryanskaya, M. V.; Schmidt, B.; Fitting, H. J. Springer Science + Business Media 2007 p.381-386
Cathodoluminescence and TEM studies of HVPE GaN layers grown on porous SiC substrates
Kolesnikova, E.; Mynbaeva, M.; Sitnikova, A. Springer Science + Business Media 2007 p.387-390
Cathodoluminescence investigation of silicon nanowires fabricated by thermal evaporation of SiO
Jia, G.; Arguirov, T.; Kittler, M.; Su, Z.; Yang, D.; Sha, J. Springer Science + Business Media 2007 p.391-394
IBIC characterization of charge transport in CdTe:Cl
Sellin, P. J.; Davies, A. W.; Boroumand, F.; Lohstroh, A.; Özsan, M. E.; Parkin, J.; Veale, M. Springer Science + Business Media 2007 p.395-401
EBIC characterization of strained Si/SiGe heterostructures
Yakimov, E. B.; Zhang, R. H.; Rozgonyi, G. A.; Seacrist, M. Springer Science + Business Media 2007 p.402-406
Simulation and measurements of EBIC images of photoconductive elements based on HgCdTe
Krapukhin, V. V.; Vergeles, P. S.; Yakimov, E. B. Springer Science + Business Media 2007 p.407-410
EBIC measurements of small diffusion length in semiconductor structures
Yakimov, E. B.; Borisov, S. S.; Zaitsev, S. I. Springer Science + Business Media 2007 p.411-413
Photoinduced transient spectroscopy of defect centers in GaN and SiC
Kami?ski, P.; Koz?owski, R.; Kozubal, M.; ?elazko, J.; Miczuga, M.; Paw?owski, M. Springer Science + Business Media 2007 p.414-420
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