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Instability due to thermocapillary and thermoelectric effects in liquid semiconductors
Eidel'man, E. D. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.858
Ultrasonically induced transformation of DX centers in AlGaAs:Si
Belyaev, A. E. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.863
Optical phonons and ordering of the crystal lattice of In~xGa~1~-~xAs solid solutions
Mintairov, A. M. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.866
Buldygin, A. F. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.872
Negative-capacitance effect in Ni-TiO~2-p-Si heterostructures
Boltaev, A. P. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.876
Electroluminescence quantum yield in GaInAsSb/GaSb and AlGaAsSb/GaInAsSb p-n structures
Yunusov, M. S. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.880
Surface UV photoluminescence of silicon carbide crystals
Danishevski, A. M. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.884
Pseudodoped amorphous silicon as a material for vidicon targets
Golikova, O. A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.887
Temperature dependence of the hole thermal emf in gapless HgCdTe and HgMnTe semiconductors
Shelushinina, N. G. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.890
Development and study of the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wires
Bert, N. A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1994 p.895
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