RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재후보 SCIE SCOPUS

      Effect of Nanoscaled SiO2 Coating on Luminescent Properties of Blue Phosphors

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A105872755

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      An investigation is reported on the growth of SiO2 nano-film on BaMgAl10O17:Eu+ blue phosphors using atomic layer deposition. Silicon oxide films were prepared at room temperature using Si(OC2H5)4, C2H5N
      and H2O as precursor, catalyst and reactant gas, respectively. XPS analysis showed the surface composition of coated phosphor powder was silicon oxide. In TEM and FESEM analysis, the growth rate was about
      0.66 Å/cycle and the surface morphology became smoother than that of uncoated powder. The photoluminescence intensity for coated phosphors was 0.6~11.3% higher than that of uncoated
      번역하기

      An investigation is reported on the growth of SiO2 nano-film on BaMgAl10O17:Eu+ blue phosphors using atomic layer deposition. Silicon oxide films were prepared at room temperature using Si(OC2H5)4, C2H5N and H2O as precursor, catalyst and reactant gas...

      An investigation is reported on the growth of SiO2 nano-film on BaMgAl10O17:Eu+ blue phosphors using atomic layer deposition. Silicon oxide films were prepared at room temperature using Si(OC2H5)4, C2H5N
      and H2O as precursor, catalyst and reactant gas, respectively. XPS analysis showed the surface composition of coated phosphor powder was silicon oxide. In TEM and FESEM analysis, the growth rate was about
      0.66 Å/cycle and the surface morphology became smoother than that of uncoated powder. The photoluminescence intensity for coated phosphors was 0.6~11.3% higher than that of uncoated

      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 G. Bizzari, 113 : 199-213, 2005

      2 K. B. Kim, 80 (80): 2003

      3 B. Moine, 105 (105): 2003

      4 C. Guo, 105 (105): 2003

      5 H. Kominami, 519 : 113-114, 1997

      6 O. Sneh, 402 (402): 2002

      7 S. D. Han, 298-, 2004

      8 M. Leskela, 409 (409): 2002

      9 J. W. Klaus, 447 (447): 2000

      10 S. Lee, 3 (3): 2007

      1 G. Bizzari, 113 : 199-213, 2005

      2 K. B. Kim, 80 (80): 2003

      3 B. Moine, 105 (105): 2003

      4 C. Guo, 105 (105): 2003

      5 H. Kominami, 519 : 113-114, 1997

      6 O. Sneh, 402 (402): 2002

      7 S. D. Han, 298-, 2004

      8 M. Leskela, 409 (409): 2002

      9 J. W. Klaus, 447 (447): 2000

      10 S. Lee, 3 (3): 2007

      11 H. J. Kim, 459 (459): 2006

      12 W. Park, "Us Patent No. 0119247"

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      동일학술지 더보기

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      학술지등록 한글명 : Electronic Materials Letters
      외국어명 : Electronic Materials Letters
      2023 평가예정 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2013-10-01 평가 등재학술지 선정 (기타) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재후보학술지 유지 (기타) KCI등재후보
      2009-12-29 학회명변경 한글명 : 대한금속ㆍ재료학회 -> 대한금속·재료학회 KCI등재후보
      2008-01-01 평가 SCIE 등재 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 1.68 0.41 1.08
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.89 0.83 0.333 0.06
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼