RISS 학술연구정보서비스

검색
자동완성 버튼

인기 검색어

    다국어 입력
    あ ぁ か が さ ざ た だ な は ば ぱ ま や ゃ ら わ ゎ ん い ぃ き ぎ し じ ち ぢ に ひ び ぴ み り う ぅ く ぐ す ず つ づ っ ぬ ふ ぶ ぷ む ゆ ゅ る え ぇ け げ せ ぜ て で ね へ べ ぺ め れ お ぉ こ ご そ ぞ と ど の ほ ぼ ぽ も よ ょ ろ を
    ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

    http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

    변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

    예시)
    • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
    • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
    ㅥ ㅦ ㅧ ㅨ ㅩ ㅪ ㅫ ㅬ ㅭ ㅮ ㅯ ㅰ ㅱ ㅲ ㅳ ㅴ ㅵ ㅶ ㅷ ㅸ ㅹ ㅺ ㅻ ㅼ ㅽ ㅾ ㅿ ㆀ ㆁ ㆂ ㆃ ㆄ ㆅ ㆆ ㆇ ㆈ ㆉ ㆊ ㆋ ㆌ ㆍ ㆎ
    Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
    á à Á À é è É È ç Ç ê
    Ä Ö Ü ä ö ü ß
    ְ ֳ ֲ ֱ ָ ַ ֵ ֶ ִ ֹ ּ ֻ ׂ ׁ ּ פ ם ן ו ט א ר ק ף ך ל ח י ע כ ג ד ש ץ ת צ מ נ ה ב
    ‘ ’ “ ” 〔 〕 〈 〉 「 」 『 』 【 】 ＂ （ ） ［ ］ ｛ ｝
    ± × ÷ ≠ ≤ ≥ ∞ ∴ ♂ ♀ ∠ ⊥ ⌒ ∂ ∇ ≡ ≒ ≪ ≫ √ ∽ ∝ ∵ ∫ ∬ ∈ ∋ ⊆ ⊇ ⊂ ⊃ ∪ ∩ ∧ ∨ ￢ ⇒ ⇔ ∀ ∃ ∮ ∑ ∏ ＋ － ＜ ＝ ＞
    、 。 · ‥ … ¨ 〃 ― ∥ ＼ ∼ ´ ～ ˇ ˘ ˝ ˚ ˙ ¸ ˛ ¡ ¿ ː ！ ＇ ， ． ／ ： ； ？ ＾ ＿ ｀ ｜
    ½ ⅓ ⅔ ¼ ¾ ⅛ ⅜ ⅝ ⅞ ¹ ² ³ ⁴ ⁿ ₁ ₂ ₃ ₄
    Æ Ð Ħ IJ Ł Ø Œ Þ Ŧ Ŋ æ đ ð ħ ı ij ĸ ŀ ł ø œ ß þ ŧ ŋ ʼn
    А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я
    ′ ″ ℃ Å ￠ ￡ ￥ ¤ ℉ ‰ ＄ ％ Ｆ ￦ ㎕ ㎖ ㎗ ℓ ㎘ ㏄ ㎣ ㎤ ㎥ ㎦ ㎙ ㎚ ㎛ ㎜ ㎝ ㎞ ㎟ ㎠ ㎡ ㎢ ㏊ ㎍ ㎎ ㎏ ㏏ ㎈ ㎉ ㏈ ㎧ ㎨ ㎰ ㎱ ㎲ ㎳ ㎴ ㎵ ㎶ ㎷ ㎸ ㎹ ㎀ ㎁ ㎂ ㎃ ㎄ ㎺ ㎻ ㎽ ㎾ ㎿ ㎐ ㎑ ㎒ ㎓ ㎔ Ω ㏀ ㏁ ㎊ ㎋ ㎌ ㏖ ㏅ ㎭ ㎮ ㎯ ㏛ ㎩ ㎪ ㎫ ㎬ ㏝ ㏐ ㏓ ㏃ ㏉ ㏜ ㏆
    § ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
    ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
    ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی
    닫기
    KCI등재 SCIE SCOPUS

    Effects of oxygen plasma generated in magnetron sputtering of ruthenium oxide on pentacene thin film transistors

    한글로보기

    https://www.riss.kr/link?id=A105079615

    • 0

      상세조회

    • 0

      다운로드
    서지정보 열기
    • 내보내기
    • 내책장담기
    • 공유하기
    • 오류접수
    인용문이 복사되었습니다.

    부가정보

    다국어 초록 (Multilingual Abstract) kakao i 다국어 번역

    영어
    한국어
    Effects of oxygen plasma generated in a sputtering process for deposition of electrodes on pentacene thin films to configure top-contact (TC) transistors have been thoroughly investigated. Reactive oxygen species severely degraded electrical properties of pentacene films during the deposition of RuOx electrodes, leading to a failure of devices. In the off-region, the leakage current increased by about two orders of magnitude, and the subthreshold slope also increased by 6.5 times. The top surface of pentacene films was oxidized by oxygen plasma and C-O and C=O bonds awerere created. The pentacenequinone derivative was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy. The oxidation of pentacene films gives rise to charge traps at the pentacene/electrode interface, which produces a leakage channel between source and drain electrodes. We believe that this side effect of oxygen plasma on the fabrication of TC-devices should be considered carefully.
    번역하기

    Effects of oxygen plasma generated in a sputtering process for deposition of electrodes on pentacene thin films to configure top-contact (TC) transistors have been thoroughly investigated. Reactive oxygen species severely degraded electrical propertie...

    Effects of oxygen plasma generated in a sputtering process for deposition of electrodes on pentacene thin films to configure top-contact (TC) transistors have been thoroughly investigated. Reactive oxygen species severely degraded electrical properties of pentacene films during the deposition of RuOx electrodes, leading to a failure of devices. In the off-region, the leakage current increased by about two orders of magnitude, and the subthreshold slope also increased by 6.5 times. The top surface of pentacene films was oxidized by oxygen plasma and C-O and C=O bonds awerere created. The pentacenequinone derivative was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy. The oxidation of pentacene films gives rise to charge traps at the pentacene/electrode interface, which produces a leakage channel between source and drain electrodes. We believe that this side effect of oxygen plasma on the fabrication of TC-devices should be considered carefully.

    더보기

    참고문헌 (Reference)

    1 A. Vollmer, 600 : 4004-, 2006

    2 Y. Matsumoto, 16 : 199-, 2005

    3 C. R. Newman, 16 : 4436-, 2004

    4 E. Fortunato, 24 : 2945-, 2012

    5 A. R. Murphy, 107 : 1066-, 2007

    6 S. W. Rhee, 18 : 5437-, 2008

    7 A. Facchetti, 17 : 1705-, 2005

    8 C. D. Dimitrakopoulos, 14 : 99-, 2002

    9 P. Cosseddu, 515 : 7551-, 2007

    10 D. J. Yun, 97 : 073303-, 2010

    1 A. Vollmer, 600 : 4004-, 2006

    2 Y. Matsumoto, 16 : 199-, 2005

    3 C. R. Newman, 16 : 4436-, 2004

    4 E. Fortunato, 24 : 2945-, 2012

    5 A. R. Murphy, 107 : 1066-, 2007

    6 S. W. Rhee, 18 : 5437-, 2008

    7 A. Facchetti, 17 : 1705-, 2005

    8 C. D. Dimitrakopoulos, 14 : 99-, 2002

    9 P. Cosseddu, 515 : 7551-, 2007

    10 D. J. Yun, 97 : 073303-, 2010

    11 D. J. Yun, 155 : H899-, 2008

    12 C. W. Chu, 87 : 193508-, 2005

    13 X. -H. Zhang, 8 : 718-, 2007

    14 D. H. Kim, 47 : 5672-, 2008

    15 A. Rolland, 140 : 3679-, 1993

    16 M. McDowell, 88 : 073505-, 2006

    17 H. K. Kim, 5 : 1327-, 2013

    18 K. T. Kamtekar, 22 : 572-, 2010

    19 F. So, 22 : 3762-, 2010

    20 M. Park, 4 : 11307-, 2016

    21 S. J. Kang, 72 : 205328-, 2005

    22 P. Parisse, 8 : 498-, 2007

    23 H. W. Zan, 48 : 031501-, 2009

    24 K. Ono, 63 : 9699-, 2007

    25 박성묵, "Photodegradation of organic dyes via competitive direct reduction/indirect oxidation on InSnS2 under visible light" 한국화학공학회 34 (34): 1500-1503, 2017

    더보기

    분석정보

    View

    상세정보조회

    0

    Usage

    원문다운로드

    0

    대출신청

    0

    복사신청

    0

    EDDS신청

    0

    동일 주제 내 활용도 TOP

    더보기

    주제

    연도별 연구동향

    연도별 활용동향

    연관논문

    연구자 네트워크맵

    공동연구자 (7)

    유사연구자 (20) 활용도상위20명

    인용정보 인용지수 설명보기

    학술지 이력

    학술지 이력
    연월일 이력구분 이력상세 등재구분
    2023 평가 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가)
    2020-01-01 등재 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
    2016-06-21 학술지명변경 한글명 : The Korean Journal of Chemical Engineering -> Korean Journal of Chemical Engineering
    외국어명 : The Korean Journal of Chemical Engineering -> Korean Journal of Chemical Engineering    		 KCI등재
    2011-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2009-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2007-09-27 학회명변경 영문명 : The Korean Institute Of Chemical Engineers -> The Korean Institute of Chemical Engineers KCI등재
    2007-09-03 학술지명변경 한글명 : The Korean Journal of Chemical Engineeri -> The Korean Journal of Chemical Engineering
    외국어명 : The Korean Journal of Chemical Engineeri -> The Korean Journal of Chemical Engineering    		 KCI등재
    2007-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2005-01-01 등재 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
    2002-01-01 등재 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
    1999-07-01 등재 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
    더보기

    학술지 인용정보

    학술지 인용정보
    기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
    2016 1.92 0.72 1.4
    KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
    1.15 0.94 0.403 0.14
    더보기

    이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

    나만을 위한 추천자료

    해외이동버튼