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      Blue( -475nm) InGaN / GaN LED의 광추출 효율 향상을 위한 광결정 구조에 대한 이론적 연구

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      https://www.riss.kr/link?id=A82691345

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      In order to maximize the light extraction, the photonic crystal structure of p-GaN in 475nm InGaN/GaN light-emitting diode (LED) is theoretically investigated using a finite difference time domain simulation. It is found that the light intensity is correlated with the photonic band gap (PßG) position relative to a frequency of a/λ and the depth (d)of the hole. The proper depth can be determined with its allowed tolerance. The intensity was maximized when the PßG is properly matched to a/λ= 0.66 (i.e, a? 313.5nm) with a hole depth of d? 105 nm, indicating a significant improvement compared to the conventional LED without photonic crystals.
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      In order to maximize the light extraction, the photonic crystal structure of p-GaN in 475nm InGaN/GaN light-emitting diode (LED) is theoretically investigated using a finite difference time domain simulation. It is found that the light intensity is co...

      In order to maximize the light extraction, the photonic crystal structure of p-GaN in 475nm InGaN/GaN light-emitting diode (LED) is theoretically investigated using a finite difference time domain simulation. It is found that the light intensity is correlated with the photonic band gap (PßG) position relative to a frequency of a/λ and the depth (d)of the hole. The proper depth can be determined with its allowed tolerance. The intensity was maximized when the PßG is properly matched to a/λ= 0.66 (i.e, a? 313.5nm) with a hole depth of d? 105 nm, indicating a significant improvement compared to the conventional LED without photonic crystals.

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      목차 (Table of Contents)

      • Ⅰ.서론 1
      • Ⅱ. 본 론 2
      • 2.1. 소자구조 및 시율래이션 2
      • 2.2. 실험 결과 3
      • Ⅲ. 결 론 5
      • Ⅰ.서론 1
      • Ⅱ. 본 론 2
      • 2.1. 소자구조 및 시율래이션 2
      • 2.2. 실험 결과 3
      • Ⅲ. 결 론 5
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