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    ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ
    ا ب ت ث ج ح خ د ذ ر ز س ش ص ض ط ظ ع غ ف ق ک ل م ن ه و ی
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    전장에 의해 유도된 a - Si : H의 전기적 특성 변화 = Field - Induced Effects in a - Si : H

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    https://www.riss.kr/link?id=A45025197

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    Bias-induced conductivity changes in a-Si:H are reported.
    In contrast with the bias effects on doped and multilayered a- Si:H undoped a-Si:H shows the increase of conductivity nearly an order of magnitude sample degradation after cooling with 200V(3000 V/cm)from 200℃. We try to interpret these changes as a result of bias-induced deep trap centers.
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    Bias-induced conductivity changes in a-Si:H are reported. In contrast with the bias effects on doped and multilayered a- Si:H undoped a-Si:H shows the increase of conductivity nearly an order of magnitude sample degradation after cooling with 200V(30...

    Bias-induced conductivity changes in a-Si:H are reported.
    In contrast with the bias effects on doped and multilayered a- Si:H undoped a-Si:H shows the increase of conductivity nearly an order of magnitude sample degradation after cooling with 200V(3000 V/cm)from 200℃. We try to interpret these changes as a result of bias-induced deep trap centers.

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    목차 (Table of Contents)

    • Ⅰ. 서론
    • Ⅱ. 실험
    • Ⅲ. 결과 및 토의
    • Ⅳ. 결론
    • Ⅰ. 서론
    • Ⅱ. 실험
    • Ⅲ. 결과 및 토의
    • Ⅳ. 결론
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