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      THE ADVANTAGE OF LOW GROWTH TEMPERATURE AND V/III RATIO FOR In_xGa_(1-x)As NANOWIRES GROWTH = THE ADVANTAGE OF LOW GROWTH TEMPERATURE AND V/III RATIO FOR In_xGa_(1-x)As NANOWIRES GROWTH

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Cylindrical In_xGa_(1-x)As nanowires (NWs) perpendicular to the substrate have been successfully grown using MOCVD. Morphology of In_xGa_(1-x)As NWs has been observed using Field Emission-Scanning Electron Microscopy (FE-SEM) and Transmission Electron...

      Cylindrical In_xGa_(1-x)As nanowires (NWs) perpendicular to the substrate have been successfully grown using MOCVD. Morphology of In_xGa_(1-x)As NWs has been observed using Field Emission-Scanning Electron Microscopy (FE-SEM) and Transmission Electron Microscopy (TEM). Both FE-SEM and TEM results show that the NWs grown at low growth temperature and V/III ratio were via direct impinging mechanism. Energy Dispersive X-ray spectroscopy (EDX) results confirm that the cylindrical NWs grown via direct impinging mechanism and tends to have uniform chemical composition.

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      참고문헌 (Reference)

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      2016 0.63 0.14 0.51
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