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    라디칼 흡착 모듈을 이용한 원자층 식각 = Atomic layer etching using radical adsorption module

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    10nm 이하의 소형화를 위해서는 다양한 공정 기술이 물리적 한계에 도달하고 있으며, 새로운 유형의공정 기술에 대한 연구가 요구되고 있다. 식각공정에서는 종래의 플라즈마를 이용한 식각 시 표면 손상및 프로파일 왜곡 등과 같은 문제점이 보고되고 있다. 이러한 이유 때문에, 원자층 식각과 같은 새로운 방식의 식각형태에 대한 연구가 많이 보고되고 있다. 본 연구에서는 이러한 원자층 식각 공정에 있어 새로운 형태의 흡착모듈을 개발하여 적용해 보았다. 이러한 흡착 모듈을 통해 흡착시간을 5초까지 감소시킬수 있었다.
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    10nm 이하의 소형화를 위해서는 다양한 공정 기술이 물리적 한계에 도달하고 있으며, 새로운 유형의공정 기술에 대한 연구가 요구되고 있다. 식각공정에서는 종래의 플라즈마를 이용한 식각 ...

    10nm 이하의 소형화를 위해서는 다양한 공정 기술이 물리적 한계에 도달하고 있으며, 새로운 유형의공정 기술에 대한 연구가 요구되고 있다. 식각공정에서는 종래의 플라즈마를 이용한 식각 시 표면 손상및 프로파일 왜곡 등과 같은 문제점이 보고되고 있다. 이러한 이유 때문에, 원자층 식각과 같은 새로운 방식의 식각형태에 대한 연구가 많이 보고되고 있다. 본 연구에서는 이러한 원자층 식각 공정에 있어 새로운 형태의 흡착모듈을 개발하여 적용해 보았다. 이러한 흡착 모듈을 통해 흡착시간을 5초까지 감소시킬수 있었다.

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