본 연구에서는 지구온난화지수(GWP)가 기존 PFC/HFC 가스보다 낮은 C4H2F6 대체 가스를 이용하여식각 공정의 특성과 공정 중 가스의 회수 및 재사용 가능성을 조사하였다. 가스 회수를 위해 흡착 ...

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본 연구에서는 지구온난화지수(GWP)가 기존 PFC/HFC 가스보다 낮은 C4H2F6 대체 가스를 이용하여식각 공정의 특성과 공정 중 가스의 회수 및 재사용 가능성을 조사하였다. 가스 회수를 위해 흡착 모듈을설계・제작하였으며, 회수된 가스와 순수 가스의 조성을 비교하기 위해 RGA와 OES를 활용하였다. 분석결과, 회수된 가스의 조성 및 플라즈마 분해종이 순수 가스와 거의 동일한 수준임을 확인하였다. 회수된가스와 순수 가스를 이용한 식각 특성을 비교하기 위해 플라즈마 분해 성분, 식각율 그리고 식각 후 표면거칠기를 분석하였으며, 이를 위해 ellipsometry, alpha-step, OES 및 AFM을 사용하였다. 분석 결과, 회수된 가스를 사용할 경우 식각율은 순수 가스를 사용할 때보다 약간 낮은 수준을 보였으나, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 시편의 표면 거칠기는 순수 가스와 유사하거나 약간 증가하는 경향을 나타냈다. 본 연구를 통해 C4H2F6 대체 가스를 기반으로 한 식각 공정에서의 가스 회수 및 재사용 가능성을 입증하였으며, 이는 반도체 공정의 친환경성과 지속 가능성을 높이는 데 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
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