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    C4H2F6가스를 이용한 플라즈마 공정 후 회수된 가스의 재사용에 관한 연구 = A Study on the Reuse of Recovered Gases after Plasma Processes Using C4H2F6 Gas

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    https://www.riss.kr/link?id=A109195983

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    국문 초록 (Abstract) kakao i 다국어 번역

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    본 연구에서는 반도체 공정에서 현재 주로 사용되는 GWP (Global Warming Potential)가 높은 가스의 대체 가스로 주목받는 C4H2F6 가스를 이용하여 실리콘 산화물을 식각하였다. 또한, 공정에 사용된 가스를 회수하여 식각 공정에 재사용하는 가능성을 살펴보았다. 가스 회수를 위하여 챔버 펌프와 배기 사이에 회수모듈을 설치하여 가스 회수를 진행하였다. 회수모듈은 공정가스의 원활한 회수를 위하여 저온으로 유지하였다. 기존의 가스와 회수된 가스의 성분을 비교 분석하기 위해서 Residual Gas Analyzer (RGA)와 Optical Emission Spectrometer (OES)를 이용하였다. 회수 전과 후 가스를 이용하여 SiO2 식각 공정을 진행하였으며, 식각률은 Ellipsometer를 이용하여 비교 분석하였다. 기존의 가스와 회수된 가스의 성분을 비교한 결과 두 가스 모두 동일한 성분을 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 식각공정 후 분석 결과로부터 식각율 뿐만 아니라 표면 상태 또한 유사한 특성을 보였다.
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    본 연구에서는 반도체 공정에서 현재 주로 사용되는 GWP (Global Warming Potential)가 높은 가스의 대체 가스로 주목받는 C4H2F6 가스를 이용하여 실리콘 산화물을 식각하였다. 또한, 공정에 사용된 ...

    본 연구에서는 반도체 공정에서 현재 주로 사용되는 GWP (Global Warming Potential)가 높은 가스의 대체 가스로 주목받는 C4H2F6 가스를 이용하여 실리콘 산화물을 식각하였다. 또한, 공정에 사용된 가스를 회수하여 식각 공정에 재사용하는 가능성을 살펴보았다. 가스 회수를 위하여 챔버 펌프와 배기 사이에 회수모듈을 설치하여 가스 회수를 진행하였다. 회수모듈은 공정가스의 원활한 회수를 위하여 저온으로 유지하였다. 기존의 가스와 회수된 가스의 성분을 비교 분석하기 위해서 Residual Gas Analyzer (RGA)와 Optical Emission Spectrometer (OES)를 이용하였다. 회수 전과 후 가스를 이용하여 SiO2 식각 공정을 진행하였으며, 식각률은 Ellipsometer를 이용하여 비교 분석하였다. 기존의 가스와 회수된 가스의 성분을 비교한 결과 두 가스 모두 동일한 성분을 가지고 있음을 알 수 있었다. 또한 식각공정 후 분석 결과로부터 식각율 뿐만 아니라 표면 상태 또한 유사한 특성을 보였다.

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