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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      벌크 GaAs 반도체의 광 스위칭 특성 = Photo-switching Characteristics of Bulk GaAs Semiconductor

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      A model for a gallium arsenide(GaAs:Si:Cu) photoconductive switch has been developed and solved to determine the performance of the device in bistable switch applications. Simulation studies are performed on a GaAs switch system composed of different density of deep levels to investigate the influence of deep traps in a photoconductive switch system. The computer results show that the initial electron occupation at the deep accepters controls the on-state conductivity of the switch. The required photon flux to turn off the switch is obtained from the computer simulation.
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      A model for a gallium arsenide(GaAs:Si:Cu) photoconductive switch has been developed and solved to determine the performance of the device in bistable switch applications. Simulation studies are performed on a GaAs switch system composed of different ...

      A model for a gallium arsenide(GaAs:Si:Cu) photoconductive switch has been developed and solved to determine the performance of the device in bistable switch applications. Simulation studies are performed on a GaAs switch system composed of different density of deep levels to investigate the influence of deep traps in a photoconductive switch system. The computer results show that the initial electron occupation at the deep accepters controls the on-state conductivity of the switch. The required photon flux to turn off the switch is obtained from the computer simulation.

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