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Pt-WO_3-Si_3N_4-SiO_2-Si-Al 캐패시터를 이용한 NO_2라스 센서가 개발되었다. 실리콘 MIS 구조에 촉매 케이트로서 Pt와 가스 흡착용 산화물로서 WO)3의 결합은 상당히 낮은 온도에서 NO_2가스를 감지 할 ...
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NO_2 가스 감지를 위한 Pt-WO_3-Si_3N_4-SiO_2-Si-Al 캐패시터에 관한 연구 = Investigation of Pt-WO₃-Si₃N₄-SiO₂-Si-Al Capacitor for Detection of No₂ Gas
한글로보기https://www.riss.kr/link?id=E689717
- 저자
- 발행기관
-
발행연도
1998년
-
작성언어
Korean
-
KDC
560.000
-
자료형태
한국연구재단(NRF)
-
수록면
1-61
-
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부가정보
국문 초록 (Abstract)
Pt-WO_3-Si_3N_4-SiO_2-Si-Al 캐패시터를 이용한 NO_2라스 센서가 개발되었다. 실리콘 MIS 구조에 촉매 케이트로서 Pt와 가스 흡착용 산화물로서 WO)3의 결합은 상당히 낮은 온도에서 NO_2가스를 감지 할 수 있게 하였다. 보 디바이스는 표준 반도체 공정을 이용하여 Si_3N_4-S_1O_2-Si-Al 구조를 형성한 다음 WO_3층을 성장시킨 후에 Pt를 스퍼터링 방법으로 증착 시켰다. WO_3 층을 형성하기 위하여 WO_2 펠렛을 제작하여 300℃분위기 온도에서 진공 증착시킨 후에 500℃에서 4시간 동안 열처리 하였다. WO_3 표면을 AFM을 이용하여 표면구조를 관찰한 결과 다공질 구조인 것을 확인하였다. NO_2 가스 감지도를 상온에서부터 100℃까지의 온도에서 측정하였다. Pt-WO_3계면에서 NO_2이온의 농도 변화에 따른 새로운 가스 감지 모델을 제시하였다. NO_2 가스 감지구조는 음으로 대전된 NO_2이온이 흡착용 산화물 표면에 extrinsic surface state에 화학적으로 흡착되는 것에 의한 것이다. 그 모델은 계면에서의 반응 속도론 분석에 의하여 확인되었다.
Pt-WO_3-Si_3N_4-SiO_2-Si-Al 캐패시터를 이용한 NO_2라스 센서가 개발되었다. 실리콘 MIS 구조에 촉매 케이트로서 Pt와 가스 흡착용 산화물로서 WO)3의 결합은 상당히 낮은 온도에서 NO_2가스를 감지 할 수 있게 하였다. 보 디바이스는 표준 반도체 공정을 이용하여 Si_3N_4-S_1O_2-Si-Al 구조를 형성한 다음 WO_3층을 성장시킨 후에 Pt를 스퍼터링 방법으로 증착 시켰다. WO_3 층을 형성하기 위하여 WO_2 펠렛을 제작하여 300℃분위기 온도에서 진공 증착시킨 후에 500℃에서 4시간 동안 열처리 하였다. WO_3 표면을 AFM을 이용하여 표면구조를 관찰한 결과 다공질 구조인 것을 확인하였다. NO_2 가스 감지도를 상온에서부터 100℃까지의 온도에서 측정하였다. Pt-WO_3계면에서 NO_2이온의 농도 변화에 따른 새로운 가스 감지 모델을 제시하였다. NO_2 가스 감지구조는 음으로 대전된 NO_2이온이 흡착용 산화물 표면에 extrinsic surface state에 화학적으로 흡착되는 것에 의한 것이다. 그 모델은 계면에서의 반응 속도론 분석에 의하여 확인되었다.
목차 (Table of Contents)
- 초 록 문
- 제1장 서론
- 제2장 이론적 배경
- 초 록 문
- 제1장 서론
- 제2장 이론적 배경
- 제3장 실험방법
- 제4장 실험 결과 및 고찰
- 제5장 결론
- 참고문헌
분석정보
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