가속기 백색광 X-Ray Topography를 이용한 CVD 단결정 다이아몬드 내부 전위 분석 = Dislocation Analysis of CVD Single Crystal Diamond Using Synchrotron White Beam X-Ray Topography

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Single-crystal diamond obtained by chemical vapor deposition (CVD) exhibits great potential for use in next-generation power devices. Low defect density is required for the use of such power devices in high-power operations; however, plastic deformation and lattice strain increase the dislocation density during diamond growth byCVD. Therefore, characterization of the dislocations in CVD diamond is essential to ensure the growth of high-quality diamond. In this work, we analyze the characteristics of the dislocations in CVD diamond through synchrotron white beam X-ray topography. In estimate, many threading edge dislocations and five mixed dislocations were identified over the whole surface.

국문 초록 (Abstract)

화학기상증착장치(Chemical vapor deposition, CVD)에 의한 단결정 다이아몬드는 차세대 파워디바이스로 활용될 수 있다. 기본적으로, 고전력 소자로의 응용을 위해서는 낮은 전위밀도의 단결정 제어가 필요하다. 그러나, CVD 성장중 발생하는 소성변형 및 격자 스트레인은 전위밀도를 불가피하게 증가시킨다. 그러므로, 고품질의 단결정 CVD 다이아몬드를 성장하기 위해서는 이에 대한 철처한 분석이 필요하다. 본 논문에서는 가속기 백색광 X-ray 토포그래피를 이용하여 CVD 다이아몬드의 전위 특성을 분석한 내용을 보고한다. 준비된 단결정 CVD 다이아몬드의 전체 표면에서 많은 칼날전위 및 5개의 혼합전위가 판별되었다. 본 샘플의 전위밀도는 7.28 × 106 cm-2 로 측정되었다.

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