Cu도핑이 CdS / CdTe 태양전지의 후면전극의 거동에 미치는 영향 = Influence of Cu doping on the Performance of Back Contacts of CdTe Solar Cells

국문 초록 (Abstract)

CdTe 태양전지에 Cu로 도핑된 carbon paste를 배면전극으로 사용했을 때의 전지 성능과 photoluminescence (PL) 특성을 고찰하였다. 배면전극으로는 CuCl₂가 첨가된 Cu-doped carbon paste와 진공증착된 Cu/Au가 사용되었다. Cu로 도핑된 배면전극의 최적 열처리조건은 120℃에서 30분이었으며, PL로 부터 defect band의 감소를 확인하였다. 열처리 온도를 300℃ 이상 증가시키면 defect band는 더 크게 감소하였는데, 전지의 성능은 저하되었다. CuCl₂로 도핑된 CdTe에서는 donor-acceptor pair(DAP) transition(1.55ev)이 관찰되지 않았으나, AgNO₃로 Cl을 제거한 경우에는 DAP transition이 관찰되어졌다. Cl을 제거한 경우 전극과 CdTe사이의 접착상태가 불량하였으며, 따라서 전지의 성능이 저하되었다. CuCl₂ 첨가시 열처리 온도를 낮추어서 CdTe 표면에 도핑하는 것이 중요하며, Cl이 전지의 전기적, 광학적 거동에 영향을 미친다는 것을 PL을 통해 확인하였다.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• 1. Introduction
  
• 2. Experimental Procedures
  
• 3. 결과 및 고찰
  
• 4. 결론
  
• 5. 감사의 글
  
• 참고문헌