미세패턴 형성을 위한 무기질 a- Se Ge 포토레지스트의 에칭특성 = The Etching Characteristics of Inorganic a-Se Ge Photoresist for Submicron Pattern Delineation

국문 초록 (Abstract)

본 논문에서는 각도에 따라 증착된 a-?? 박막과 Ag/a-?? 박막에서의 에칭특성을 고찰하였다. 에칭율은 빛이 조사된 a-?? 박막이 열처리된 박막보다 더욱 크며, 증착각도가 증가함에 따라서 증가한다. positive형인 경우 에칭율은 80°로 증착된 박막에서 최대를 나타낸다. negative형인 경우 Ag가 광도프 되지 않은 a-?? 박막은 알칼리용액(HN₄OH)에 쉽게 용해되지만, Ag가 광도프핀된 박막은 거의 녹지 않음을 알 수 있다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In this paper, the etching characteristics was investigated in obliquely deposited a-?? films was larger than the annealed films, and it was increased with oblique angles.
In the case of positive-type, the etching rate was maximum for films deposited at 80°obliqueness. In the case of negative type, the AG photo-undoped a-?? films esaily dissolved at alkaline solution(HN₄OH) but the Ag-photodoped films hardly dissolved at this solution.

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ. 서 론
• Ⅱ. 실험방법
• Ⅲ. 결과 및 고찰
• Ⅳ. 결 론
• 참고문헌