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InAs/InGaSb Photodetectors Grown on GaAs Bounded Substrates
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Kinetics of Strain Relaxation in Semiconductor Films Grown on Borosilicate Glass-Bonded Substrates
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Uniaxial, Tensile Strained-Si Devices
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Initial Nanoheteroepitaxial Growth of GaAs on Si(100) by OMVPE
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High Mobility Electron Heterostructure Wafer Fused onto LiNbO~3
Friedland, K.-J. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2001 p.817-820
A Study of Cracking in GaN Grown on Silicon by Molecular Beam Epitaxy
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High Quality AlN and GaN Grown on Compliant Si/SiC Substrates by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Kipshidze, G. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2001 p.825-828
Substrate Smoothing Using Gas Cluster Ion Beam Processing
Allen, L. P. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2001 p.829-833
The Generic Nature of Smart-Cut® Process for Thin Film Transfer
Aspar, B. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2001 p.834-840
Silicon Layer Transfer Using Wafer Bonding and Debonding
Colinge, C. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2001 p.841-844
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