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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      MgIn2S4 半導體 薄膜의 光吸收 特性

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      Polycrystalline MgIn2S4 thin films were prepared by the spray pyrolysis
      method, and then the substrate temperature was from 300℃ to 350℃.
      The Crystal structure of the MgIn2S4 thin films was cubic with lattice constant
      a= 10.886Å, and the optical energy gaps were measured to be 1.93eV at
      substrate temperature 300℃, and 1. 92eV at 350℃, respectively.
      AIso, the energy gap of theMgIn2S4(Co) thin films doped with cobalt
      (20mole %) was 1.68eV, and that of MgIn2S4 (Cr) thin films doped with
      chromium (20mole %) was 2.15eV.
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      Polycrystalline MgIn2S4 thin films were prepared by the spray pyrolysis method, and then the substrate temperature was from 300℃ to 350℃. The Crystal structure of the MgIn2S4 thin films was cubic with lattice constant a= 10.886Å, and the opti...

      Polycrystalline MgIn2S4 thin films were prepared by the spray pyrolysis
      method, and then the substrate temperature was from 300℃ to 350℃.
      The Crystal structure of the MgIn2S4 thin films was cubic with lattice constant
      a= 10.886Å, and the optical energy gaps were measured to be 1.93eV at
      substrate temperature 300℃, and 1. 92eV at 350℃, respectively.
      AIso, the energy gap of theMgIn2S4(Co) thin films doped with cobalt
      (20mole %) was 1.68eV, and that of MgIn2S4 (Cr) thin films doped with
      chromium (20mole %) was 2.15eV.

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      목차 (Table of Contents)

      • 1. 續論 1
      • 2. 實驗 2
      • 1. MgIn2S4 박막의 제작 2
      • 2. MgIn2S4 박막의 광흡수 특성 측정 2
      • 3. 實驗 結果와 고찰 2
      • 1. 續論 1
      • 2. 實驗 2
      • 1. MgIn2S4 박막의 제작 2
      • 2. MgIn2S4 박막의 광흡수 특성 측정 2
      • 3. 實驗 結果와 고찰 2
      • 1. MgIn2S4 박막의 구조 2
      • 2. MgIn2S4 박막의 광흡수 특성 3
      • 4. 結論 5
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