기판 제어 기법을 이용한 고속 SOI 버퍼 회로

국문 초록 (Abstract)

고속, 저전력 소자로 각광받고 있는 SOI 소자 기술을 이용하여 고속 비반전 버퍼회로를 설계하였다. SOI 소자는 기본적으로 개개의 소자의 바디가 독립적으로 제어될 수 있어 이를 동적으로 제어하는 기법을 제안하엿다. 기존의 바디 제어형 회로에 비해 효율적으로 바디 전압을 제어 할 수 있는 새로운 SOI 버퍼회로를 고안하였다. 본 연구에서 이룩한 것은 바디 바이어스의 제어 속도 및 전류 구동 능력의 개선이다. 이를 검증하기 위해 소자 시뮬레이션을 수행하여 본 연구의 회로 구조가 더 큰 전류 구동 능력을 갖는다는 것을 보였다. 또한 회로 시뮬레이션을 수행하여 같은 바이어스 조건하에서 전력 소모는 약간 작거나 같ㅇㄴ 상태에서 훨씬 빨리 동작함을 확인하였다. 예로서 공급전압이 1.2V이고 부하용량이 2pF일 때 제안한 버퍼 회로가 같은 면적을 갖는 기존의 버퍼회로에 비해 약 36% 속도 특성이 개선됨을 확인하였다. 본 연구에서 제안한 회로를 제작하기 위해 시험칩을 설계하였고 마스크를 제작하였으며, 현재 제조공정의 약 80% 정도가 수행되었다.

목차 (Table of Contents)

• 초록문
• 1. 서론
• 참고문헌
• 2. 새로운 버퍼 회로의 제안
• 참고문헌
• 3. 소자 시뮬레이션
• 참고문헌
• 4. 회로 시뮬레이션
• 참고문헌
• 5. 설계 및 제작
• 6. 결론 및 앞으로의 연구