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국문 초록 (Abstract)

OPC(Optical Proximity Correction)는 초고집적회로 내의 최소 선폭의 크기가 광리소그래피에 사용되는 광원의 해상도 한계에 접근하면서 새롭게 부각되고 있는 기술이다. 현재는 밀집 패턴과 고립 ...

OPC(Optical Proximity Correction)는 초고집적회로 내의 최소 선폭의 크기가 광리소그래피에 사용되는 광원의 해상도 한계에 접근하면서 새롭게 부각되고 있는 기술이다. 현재는 밀집 패턴과 고립 패턴이 광학적 간섭 현상에 의해 해상 후의 크기가 달라지는 것을 보상하기 위하여 사용되고 있으니, 회로의 최소선폭이 더욱 작아짐에 따라 레이아웃 설계가 끝난 후 설계 규칙 검사(DRC)를 한 후 레이아웃을 변형하는 기술로 발전할 것이 예상된다. 특히 기가급 메모리 개발에 대한 연구가 진행되면서 그 기초 기술로서 OPC에 대한 연구 역시 세계 각국의 주요 연구 그룹에 의해 현재 진행되고 있다. 이 논문에서는 발표된 OPC 기술을 비교, 분석하여 차세대 OPC 프로그램이 갖추어야 할 조건을 제시하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The optical proximity correction (OPC) technology is a new area that receives a lot of new attention as the minimum feature size(MFS) reaches the resolution limit of the light source. It has been used to compensate the size difference of dense and isolated pattern due to the optical interference. But as MFS gets smaller, it is expected to become one of the static layout analysis tools like design rule check (DRC) and layout versus schematic (LVS). In this paper, we compared the current OPC techniques and proposes the conditions for future OPC programs.