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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      게르마늄 응축 공정의 모델링과 나노와이어 PMOSFET 응용

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      참고문헌 (Reference)

      1 최성식, "Tri-gate FinFET의 fin 및 소스/드레인 구조 변화에 따른 소자 성능 분석" 대한전자공학회 51 (51): 71-81, 2014

      2 N. Sugiyama, "Temperature effects on Ge condensation by thermal oxidation of SiGe-on-insulator structures" 95 (95): 4007-4011, 2004

      3 T. Tezuka, "Structural analyses of strained SiGe wires formed by hydrogen thermal etching and Ge-condensation processes" 94 : 081910-1-081910-3, 2009

      4 F. K. LeGoues, "Oxidation studies of SiGe" 65 (65): 1724-1728, 1989

      5 T. Irisawa, "Ge wire MOSFETs fabricated by three-dimensional Ge condensation technique" 517 (517): 167-169, 2008

      6 S. Nakaharai, "Formation Mechanism of Ge-on-Insulator Layers by Ge-condensation Technique" 2006

      7 이순철, "FinFET 게이트 저항 압축 모델 개발 및 최적화" 대한전자공학회 51 (51): 30-37, 2014

      8 S. Nakaharai, "Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique" 83 (83): 3516-3518, 2003

      9 S. Dissanayake, "(110)Ultrathin GOI layers fabricated by Ge condensation method" 517 (517): 178-180, 2008

      1 최성식, "Tri-gate FinFET의 fin 및 소스/드레인 구조 변화에 따른 소자 성능 분석" 대한전자공학회 51 (51): 71-81, 2014

      2 N. Sugiyama, "Temperature effects on Ge condensation by thermal oxidation of SiGe-on-insulator structures" 95 (95): 4007-4011, 2004

      3 T. Tezuka, "Structural analyses of strained SiGe wires formed by hydrogen thermal etching and Ge-condensation processes" 94 : 081910-1-081910-3, 2009

      4 F. K. LeGoues, "Oxidation studies of SiGe" 65 (65): 1724-1728, 1989

      5 T. Irisawa, "Ge wire MOSFETs fabricated by three-dimensional Ge condensation technique" 517 (517): 167-169, 2008

      6 S. Nakaharai, "Formation Mechanism of Ge-on-Insulator Layers by Ge-condensation Technique" 2006

      7 이순철, "FinFET 게이트 저항 압축 모델 개발 및 최적화" 대한전자공학회 51 (51): 30-37, 2014

      8 S. Nakaharai, "Characterization of 7-nm-thick strained Ge-on-insulator layer fabricated by Ge-condensation technique" 83 (83): 3516-3518, 2003

      9 S. Dissanayake, "(110)Ultrathin GOI layers fabricated by Ge condensation method" 517 (517): 178-180, 2008

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      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2014-12-11 학술지명변경 외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea -> Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 한글명 : 대한전자공학회 논문지 -> 전자공학회논문지 KCI등재
      2005-05-27 학술지등록 한글명 : 대한전자공학회 논문지
      외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea      		 KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.27 0.27 0.25
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.22 0.19 0.427 0.09
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