초음파분무를 이용한 MOCVD법에 의한 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막의 제조 = Preparation of $Pb(Zr,\;Ti)O_3$ thin films by MOCVD using ultrasonic spraying

국문 초록 (Abstract)

초음파분무를 이웅한 MOCVD법으로 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막을 제조하였다. $300-450^{\circ}C$의 낮은 중착온도에서 페롭스카이트 구조를 가지는 결정화된 박막을 만들 수 있었으며, 출발용액의 조성과 증착온도의 조절에 의해 능면정상 또는 정방정상구조를 가지는 박막의 제조가 가능하였다. p형 실리콘 기판 위에 증착시킨 $Pb(Zr,\;Ti)O_3$박막으로 제조한 MOS소자에 대한 1MHz C-V곡선의 퇴적영역에서 구한 유전율은 187이었다. Sawyer-Tower회로를 이용한 P-E 이력특성 조사결과 박막이 강유전특성을 가짐을 확인하였으며, 잔류분극은 $5.5{\mu}C/cm^2$이고 항전력은 65kV/cm이였다. 박막의 비저항은$10^{11}{\Omega}cm$ 정도이며 35kV/cm에서 절연파괴가 일어났다

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Thin films of )$Pb(Zr, \;TiO_3$ are fabricated by MOCVD using ultrasonic spraying. The films having perovskite structure are made at low deposition temperature, $300-450^{\circ}C$. The phase and composition of the films vary with the composition of the starting solution and the deposition temperature. Dielectric constant of the films is 187 at 1MHz. Ferroelectric hysterysis loop measurements indicate a remanant polarization of $5.5{\mu}C/cm^2$, and coercive field of 65kV/cm. Resistivity of thin films is about $10^{11}{\Omega}cm$ and the breakdown electric field abort 35kV/cm.