Sol-Gel법에 의한 SrBi_2Ta_2O_9 강유전체 박막의 특성 = Characterization of SrBi_2Ta_2O_9 Ferroelectric Thin Films by Sol-Gel Method

국문 초록 (Abstract)

Pt/Ti/SiO_2/Si 기판구조위에 sol-gel법에 의해 as-coated SrBi_2Ta_2O9(SBT) 박막을 형성하였고, 650℃ 후속 열처리 온도에서 결정화한 후 결정학적 특성과 전기적 특성을 연구하였다. 650℃에서 후속 열처리된 SBT 박막시료의 경우 전형적인 perovskite결정구조를 보여주었다. SEM 표면과 단면형상을 관찰하여, 650℃ 후속 열처리한 박막의 두께는 약 7000Å를 나타냈으며 Pt전극과 SBT박막 사이에는 비교적 평활한 계면형상을 보여주었다. 1kHz주파수 인가시, 650℃에서 후속 열처리된 SBT 박막시료의 유전상수는 250의 값을 나타내었으며 잔류분극(2Pr=pr^+ + Pr^-) 값은 약 3.5uC/cm^2를 나타내었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

The as-coated SrBi_2Ta_2O_9(SBT) thin films were prepared on Pt/Ti/SiO_2/Si substrates by the solgel method. The post-annealing was carried out at 650℃ for the crystallization. The crystal structures and electrical characterizations were investigated. The SBT thin films post-annealed at 650℃ appeared the typical perovskite crystal structures. The SEM sectional and surfacial micrographies were observed. The thickness of SBT thin films post-annealed at 650℃ was about 7000Å. Sectional surface between Pt electrode and SBT film showed relative smoothness. The SBT thin films post-annealed at 650℃ indicated about 250 for the dielectric constant and 305 uC/cm^2 for the remanent polarization (2Pr=Pr^+ + Pr^-) at the frequency of 1kHz. The leakage currents were about 0.5~1.2uA/cm^2.