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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      이온화소오스를 이용한 GaN 에피층 성장 연구 = A Study on Epitaxial Growth of GaN Using lonnized Source

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      https://www.riss.kr/link?id=E685443

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      국문 초록 (Abstract)

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      Ga effusion cell과 ,Kauffman 질소이온소오스를 이용하여 GaN를 성장시켰다 기판은 sapphire (0001)과 실리콘 위에 ALE 방법으로 성장시킨 비정질 Al^2O^3을 사용하였다. 성장 최적 조건을 잡기 위하여 질소유량, 기판온도, Ga flux 등의 영향을 실험하였다. GaN의 결정성 및 성장 방향 분석을 위해서 XRD를 이용하였고, PL 측정을 통해 광학적분석을 하였으며, 조성은 RBS로 분석하였다. XRD 분석결과 Sapphire (0001)과 비정질 Al^2O^3에 성장한 GaN는 모두 wurzite와 zincblende가 혼합된 구조를 나타냈으나, PL분석결과 아직 edge peak가 관찰되지 않아 고품위의 에피층이 성장되지는 않은 상태이다.
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      Ga effusion cell과 ,Kauffman 질소이온소오스를 이용하여 GaN를 성장시켰다 기판은 sapphire (0001)과 실리콘 위에 ALE 방법으로 성장시킨 비정질 Al^2O^3을 사용하였다. 성장 최적 조건을 잡기 위하여 질...

      Ga effusion cell과 ,Kauffman 질소이온소오스를 이용하여 GaN를 성장시켰다 기판은 sapphire (0001)과 실리콘 위에 ALE 방법으로 성장시킨 비정질 Al^2O^3을 사용하였다. 성장 최적 조건을 잡기 위하여 질소유량, 기판온도, Ga flux 등의 영향을 실험하였다. GaN의 결정성 및 성장 방향 분석을 위해서 XRD를 이용하였고, PL 측정을 통해 광학적분석을 하였으며, 조성은 RBS로 분석하였다. XRD 분석결과 Sapphire (0001)과 비정질 Al^2O^3에 성장한 GaN는 모두 wurzite와 zincblende가 혼합된 구조를 나타냈으나, PL분석결과 아직 edge peak가 관찰되지 않아 고품위의 에피층이 성장되지는 않은 상태이다.

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      목차 (Table of Contents)

      • 제1장 서론
      • 제2장 실험방법
      • 제3장 실험결과
      • 제1장 서론
      • 제2장 실험방법
      • 제3장 실험결과
      • 제4장 결론
      • 참고문헌
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