PZT박막의 계면반응 및 누설전류 개선에 관한 연구 = (A) study on the interface reaction and the improvement of leakage current of PZT thin film

목차 (Table of Contents)

• 목차
• 제1장. 서론 = 1
• 제2장. 이론적 배경 = 3
• 제1절. Pb(Ti,Zr)O_3계 = 3
• 제2절. 강유전 박막의 집적회로 응용 = 8
• 제3절. 절연체의 전도기구 = 11
• 1. Schottky emission = 12
• 2. Poole-Frenkel emission = 15
• 3. Space-charge-control process = 17
• 4. Ionic conduction = 20
• 5. 금속-유전체 contact = 22
• 5-1. Ohmic contact = 24
• 5-2. Neutral contact = 25
• 5-3. Barrier contact = 26
• 제3장. 후속열처리에 의한 PZT 박막의 형성 및 특성 = 27
• 제1절. 서론 = 27
• 제2절. 실험방법 = 27
• 1. 시편 제작 = 27
• 2. 측정 방법 = 29
• 제3절. 결과 및 고찰 = 33
• 1. Si, TiN 기판에서의 PZT형성 = 33
• 1-1. Funace Annealing으로 열처리한 PZT박막의 형성 및 계면반응 = 33
• 1-1-1. 열처리에 따른 상변태 = 33
• 1-1-2. 열처리시의 계면 반응 및 조성변화 = 35
• 1-1-3. 표면 관찰 = 41
• 1-2. 급속 열처리(RTA)방법으로 열처리한 PZT박막의 형성 및 계면반응 = 43
• 1-2-1. 열처리에 따른 상변태 = 43
• 1-2-2. RTA처리시 계면반응 및 조성변화 = 46
• 1-2-3. 표면 관찰 = 48
• 1-2-4. 전기적 특성 = 48
• 2. Pt기판위에서 후속열처리에 의한 PZT형성 = 55
• 2-1. 상형성 = 55
• 2-2. 계면반응 = 58
• 2-3. PbO 첨가의 영향 = 71
• 제4장. In-situ에 의한 PZT형성 = 78
• 제1절. 서론 = 78
• 제2절. 실험 방법 = 78
• 1. 기판제작 = 78
• 2. PZT 박막의 증착 = 79
• 제3절. 결과 및 고찰 = 80
• 1. 상형성 = 80
• 1-1. 기판온도에 따른 상형성 = 80
• 1-2. 주입된 아르곤과 산소비에 따른 상형성 = 80
• 2. 전기적 특성 = 85
• 2-1. 기판온도에 따르는 전기적 특성 = 85
• 2-2. 주입된 아르곤과 산소비에 따른 전기적 특성 = 87
• 2-3. 박막의 두께에 따른 특성변화 = 92
• 제5장. 누설전류의 개선 = 99
• 제1절. 서론 = 99
• 제2절. 실험 방법 = 100
• 제3절. 결과 및 고찰 = 101
• 1. 누설전류 기구의 분석 및 개선책 = 101
• 2. 비정질 PZT 층을 사용한 누설전류 개선 = 109
• 2-1. 비정질 층의 효과 = 109
• 2-2. 상온층의 두께 변화에 따른 물성 변화 = 115
• 2-3. 600℃층/상온층의 계면과 상온층/Pt 계면의 영향 해석 = 119
• 3. 불순물 주입에 의한 누설전류 개선 = 122
• 제6장. 결론 = 129
• 참고문헌 = 130
• Abstract = 134