본 연구에서는 비정질 As-Se-S-Ge박막의 광혹화현상과 Se 첨가량에 따른 광흡수율의 변화를 조사하고 실험결과들을 이용하여 광수축현상을 규명하였다. 광수축의 최대 변화율은 65[℃], 25[mW]에...
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국문 초록 (Abstract)
본 연구에서는 비정질 As-Se-S-Ge박막의 광혹화현상과 Se 첨가량에 따른 광흡수율의 변화를 조사하고 실험결과들을 이용하여 광수축현상을 규명하였다. 광수축의 최대 변화율은 65[℃], 25[mW]에...
본 연구에서는 비정질 As-Se-S-Ge박막의 광혹화현상과 Se 첨가량에 따른 광흡수율의 변화를 조사하고 실험결과들을 이용하여 광수축현상을 규명하였다. 광수축의 최대 변화율은 65[℃], 25[mW]에서 34[%]이었다.
이상의 결과로부터 광조사와 열처리에 의하여 광흡수단이 이동하는 가역변화는 광혹화현상과 열표백현상에 의한 것으로 보이고, 광조사에 의한 박막두께의 수축은 광수축현상에 의한 것으로 생각된다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
In this study, the photodarkening effect in As-Se-S-Ge amorphous thin films and the optical absorption variation along with Se additive were examined, and the photocontraction effect was proved by expermental results. The maximum photocontraction rati...
In this study, the photodarkening effect in As-Se-S-Ge amorphous thin films and the optical absorption variation along with Se additive were examined, and the photocontraction effect was proved by expermental results. The maximum photocontraction ratio was 34[%] at 65[℃], 25[mW].
With these results, it turned out that the reversible changes of optical absorption edge by light irradiation and annealing responsible for the photodarkening effect and the thermal bleaching effect, and the thickness contraction by light irradiation was considered due to photocontraction effect.
목차 (Table of Contents)
미세패턴 형성을 위한 무기질 a- Se Ge 포토레지스트의 에칭특성