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    Sio_(2)를 이용한 비정질 실리콘 박막 트렌지스터의 제작 및 특성 연구 = Fabrication and characterization of amophous silicon thin film transistors using silicon dioxide

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    https://www.riss.kr/link?id=T1555109

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    목차 (Table of Contents)

    • 목차
    • I. 서론 = 1
    • II. 이론
    • 1. 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전류-전압 특성 = 3
    • 2. 실리콘 산화막(SiO_(2)) = 6
    • 목차
    • I. 서론 = 1
    • II. 이론
    • 1. 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전류-전압 특성 = 3
    • 2. 실리콘 산화막(SiO_(2)) = 6
    • 3. Density of states = 8
    • 4. 트랜지스터의 안정성 = 12
    • III. 실험 방법
    • 1. 실리콘 산화막의 제작 = 18
    • 2. RF power에 따른 비정질 실리콘의 제작 = 18
    • 3. Photolithography = 23
    • 4. 실리콘 산화막과 a-Si:H TFT의 측정 방법 = 27
    • IV. 결과 및 논의
    • 1. 실리콘 산화막의 전기적 및 광학적 특성 = 32
    • 2. 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 전류-전압 특성 = 32
    • 3. 전계효과 이동도, 문턱전압의 변화와 안정성 = 42
    • V. 결론 = 51
    • REFERENCES = 52
    • ABSTRACT = 55
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