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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      수은이 첨가된 비정질 셀레늄 박막의 광전기적 특성 = The Optical and Electrical Properties of Amorphous Selenium Films Activated with Mercury

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      The effect of mercury impurities in amorphous selenium films have been observed. The photoconductivity of amorphous selenium films activated with mercury have been observed negatively at room temperature, and it was changed positively at low temperature. The energy band gap of amouphous selenium films doped with mercury impurities was decreased from 2.1eV to 2.03eV, and the depth of mercury traps was about 2.26 eV.
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      The effect of mercury impurities in amorphous selenium films have been observed. The photoconductivity of amorphous selenium films activated with mercury have been observed negatively at room temperature, and it was changed positively at low temperatu...

      The effect of mercury impurities in amorphous selenium films have been observed. The photoconductivity of amorphous selenium films activated with mercury have been observed negatively at room temperature, and it was changed positively at low temperature. The energy band gap of amouphous selenium films doped with mercury impurities was decreased from 2.1eV to 2.03eV, and the depth of mercury traps was about 2.26 eV.

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