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Scaling MOSFETs to the Limit A Physicistss Perspective
Fischetti, M. V. Kluwer Academic Publishers 2003 p.73-79
Monte Carlo, Hydrodynamic and Drift-Diffusion Simulation of Scaled Double-Gate MOSFETs
Bufler, F. M.; Schenk, A.; Fichtner, W. Kluwer Academic Publishers 2003 p.81-84
Comparison of Double-Gate MOSFETs and FinFETs with Monte Carlo Simulation
Kathawala, G. A.; Mohamed, M.; Ravaioli, U. Kluwer Academic Publishers 2003 p.85-89
Quantum Monte Carlo Device Simulation of Nano-Scaled SOI-MOSFETs
Tsuchiya, H.; Horino, M.; Miyoshi, T. Kluwer Academic Publishers 2003 p.91-95
Self-Consistent Quantum Mechanical Monte Carlo MOSFET Device Simulation
Ezaki, T.; Werner, P.; Hane, M. Kluwer Academic Publishers 2003 p.97-103
Does Circulation in Individual Current States Survive in the Total Current Density?
Laux, S. E.; Kumar, A.; Fischetti, M. V. Kluwer Academic Publishers 2003 p.105-108
Full Band Monte Carlo Study for Two-Dimensional Hole Transport in Strained Si p-MOSFETs
Nakatsuji, H.; Kamakura, Y.; Taniguchi, K. Kluwer Academic Publishers 2003 p.109-112
An Effective Potential Approach to Modeling 25 nm MOSFET Devices
Ahmed, S.;Ringhofer, C.;Vasileska, D. Kluwer 2003 p.113-117
An Effective Potential Approach to Modeling 25 nm MOSFET Devices
Ahmed, S.; Ringhofer, C.; Vasileska, D. Kluwer Academic Publishers 2003 p.113-117
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