LPCVD로 성장한 실리콘 질화막의 광학적 및 전기적 특성 = Optical and Electrical Properties of Si_(3)N_(4) Thin Films Fabricated by LPCVD

국문 초록 (Abstract)

LPCVD로 제작된 실리콘 질화막의 광루미네센스 (photoluminescence, PL) 및 C-V 특성을 조사하였다. 실리콘 잘화막은 질소의 함유량을 변화시켜 가며 150㎚의 두께로 제작하였으며 제작 후 1100℃에서 15분간 열처리하였다. PL측정 결과, 질소함유량이 작을수록 PL의 세기가 커지는 경향을 보였다. C-V 측정 결과, 질소의 함유량이 큰 시료는 이력(hysteresis)현상을 보이지 않았으며 질소의 유량이 80sc㎝ 이하의 시료들에서만 이력현상을 보였다. 이러한 C-V 특성은 질화막 속에 형성된 결함들에 의한 것으로 보이는데 이는 PL의 질소 함유량 의존성에 의해서도 확인된다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Photoluminescence (PL) and C-V characteristics have been investigated for Si_(3)N_(4) thin films fabricated by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The samples have been grown at a thickness of 150 nm by changing N_(2) flow rate and subsequently annealed at 1100 ℃ for 15 min. The PL intensity increases with decreasing the nitrogen amount. The annealed samples fabricated at N_(2) flow rates ≤ 80sc㎝ show a C-V hysteresis, which is attributed to defects in Si_(3)N_(4) thin films, which is also confirmed by the PL spectra depending on the flow rate.