n형 4H-SiC의 Cu/Si/Cu 오옴성 접합 = Cu/Si/Cu Ohmic contacts to n-type 4H-SiC

국문 초록 (Abstract)

n형 Sic를 이용한 오옴성 접합을 알아보고자 Cu/Si/Cu 형태의 접합실험을 실시하였다. 오
옴성 접합의 형성을 위하여 Cu/Si/Cu를 증착 하고 열처리를 시행하였다. 열처리는 RTP를 이용한 진공상태의 2-step 방법으로 시행하였다. 접합에 계산을 위하여 TLM구조로, 면 저항(R_S), 접촉저항(R_C), 이동거리(L_T), 패드간거리(d), 저항(R_T)값을 구하면 접합비저항(ρ_C) 값을 알 수 있다. 이로 인한 결과 값은 접촉저항 값은 2Ω이었고, 이동간 거리는 1㎛이었으며 접합비저항(ρ_C)=1.0×10 exp (-6) Ω㎠ 값을 얻을 수 있었다. 물리적 변화를 AES 및 XRD를 이용하여 알아보았다. SiC 계면 상에 Cu의 변화로 인한 silicide형성이 이루어짐을 알 수 있었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Characteristics of Cu/Si/Cu ohmic contacts to n-type 4H-SiC were investigated systematically. The ohmic contacts were formed by rf sputtering of multi layer Cu/Si/Cu sputtered sequentially. The annealings were performed with 2-step using RTP in vacuum ambient. The specific contact resistivity(ρ_C), sheet resistance(R_S), contact resistance(R_C), transfer length(L_T) were calculated from resistance(R_T) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. Best results were obtained for a sample annealed at vacuum as ρ_C = 1.0×10 exp (-6) Ω㎠, R_C = 2Ω and L_T = 1㎛. The physical properties of contacts were examined using XRD and AES. The results showed that copper silicide was formed on SiC and Cu was migrated into SiC.