AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT를 이용한 MIMIC Power Amplifier 제작 연구 = Studies on the MIMIC Power Amplifier using the AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT

국문 초록 (Abstract)

본 논문에서는 전자선 묘화 방법을 이용하여 게이트 길이가 0.35 ㎛인 AlGaAs/InGaAs PHEMT를 제작하였다. 다른 게이트 폭과 게이트 핑거 수를 갖도록 제작된 PHEMT의 DC 및 AC 특성은 여러 가지의 바이어스 조건에서 측정하였다. 또한, 제작된 PHEMT와 수동 소자의 라이브러리를 이용하여 35 GHz에서 동작 가능한 MIMIC 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제작된 MIMIC 전력증폭기는 27.6 GHz에서 7.9㏈의 이득과 -15 ㏈의 입력 반사 계수를 나타내었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

0.35 ${\mu}{\textrm}{m}$-gate AlGaAs/InGaAs PHEMTs have been fabricated using electron beam lithography. DC and AC characteristics of PHEMTs having different gate widths and number of fingers were measured at various bias conditions. An MIMIC power amplifier operating at 35 GHz has been designed and fabricated using passive element library. The power amplifier showed gain and input reflection coefficient of 7.9 ㏈ and -15 ㏈, respectively, at 27.6 GHz.