Hg₁-xMnxTe산화막의 홀효과에 관한 연구 = The study of Hall effect on Hg??Mn??Te oxide layer

국문 초록 (Abstract)

HClO₄(pH:2) 수용액에서 양극산화 방법으로 HgMnTe(HMT)의 표면에 산화막을 형성 시켰다. 산화막의 두께는 SEM으로 측정하였으며 10㎛였다. 전류-전압 특성곡선을 얻어 산화 피크 전압으로부터 HTeO₂?, TeO?, HHgO₂? 막이 형성되었음을 알 수 있었다. 산화시키지 않은 HMT와 HClO₄수용액에서 산화시킨 HMT에 대해 Hall전압 및 자기저항을 각각 측정하였다. 홀전압과 자기저항은 HMT보다 HMT산화막에서 더 컸으며 이것은 HHgO₂? 공격자가 홀의 역할을 하고, TeO₄? 산화막은 전하의 포획도를 낮게하기 때문으로 생각할 수 있다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Anodic oxidation processes on HgMnTe surface has been studied in standard aqueous HClO₄(pH:2) solution. The 10㎛ thickness of the anodic oxide layers was measured by SEM. The Composition of the anodic oxide layers are evaluated from current-voltage(I-V) characteristic of HgMnTe Oxidation. The layers are composed of mixed oxide. ??, TeO₄, and?? in HClO₄solution.
Transport properties have been investigated in HMT oxide layer made in HClO₄solution and virgin HMT samples at 300K. Hall voltage and magnetoresistance are greater in oxide layer HMT than virgin HMT. As a result, we know that the vacancy of ??in an anodic oxide layer acts as hole and the resulting oxide ?? layer exhibit a reduced degree of charge trapping and increase magnetoresistance.