ZnTe 및 ZnSTe 단결정 박막 성장과 그 발광 특성에 관한 연구

국문 초록 (Abstract)

10. 초록
본 연구에서는 hot-wall epitaxy(HWE)법으로 GaAs(100) 기판 위에 고품질의 ZnTe와 조성비 x 값을 달리한 삼원 합금 ZnS_1-x Te_x 단결정 박막을 성장하였다. 이와 같이 성장한 단결정 박막은 XRD와 DCRC를 측정하여 결정성과 격자구조 그리고 격자상수를 조사하였다. PL을 측정하여 발광특성과 스트레인 효과를 조사하였으며 투과 스펙트럼을 측정하여 띠간격 에너지를 구하였다 ZnTe 박막의 저온에서 얻은 PL 스펙트럼은 자유엑시톤과 속박 엑시톤 발광이 깊은 준위에 의한 발광보다 훨씬 강하였고 또한 ZnTe 박막의 PL 피크가 벌크에 비해 에너지가 낮은 쪽으로 이동하였으며 자유엑시톤이 가벼운 양공과 무거운 양공으로 분리되어 있었다. 이것은 열팽창 차이에 의한 인장스트레인 때문으로 보인다.
ZnS_1-x Te_x 박막에서는 (200)과 (400) 회절 피크가 Te 양이 감소함에 따라 ZnTe에서 ZnS로 (200)과 (400) 회절 피크가 이동하였고 에피층의 결정구조는 zinc-blende임을 알았다. Te 양이 증가함에 따라 PL 피크는 에너지가 낮은 쪽으로 이동하였다. 특히 상온에서 청색에서 노란색 영역까지 강한 발광관측되었다. 이러한 결과들로 보아 본 연구에서는 결정성이 양호한 Zn을 기반으로 하는 두 종류의 단결정 박막이 성장되었다고 본다

목차 (Table of Contents)

• 초록
• 1.서론
• 2.실험 방법 및 측정
• 3.결과 및 논의
• 4.결 론
• 참고문헌