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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      High Selectivity를 가진 Ag/Dual-Oxide based Threshold Switching Device 분석

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      https://www.riss.kr/link?id=A107258990

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      국문 초록 (Abstract)

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      Cross-point array에 selector device로 Al₂O₃ injection barrier 와 HfO₂/Al₂O₃ superlattice 구조로 구성된 dual oxide based metal ion threshold voltage device를 제안했다. TS device는 superlattice ratio(Hf₃Al₁, Hf₆Al₁, Hf₉Al₁)를 다르게 해서 비교했다. Switching layer 내부의 Al₂O₃의 비율이 감소함에 따라 TS device의 threshold voltage(~0.2 V)가 감소했고, 낮은 off current(~10-11 A)가 유지되었다. 또한, Al₂O₃의 injection barrier의 삽입으로 인해 endurance를 증가시켰고, compliance current를 증가시켜 high selectivity(~107)를 구현했다.
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      Cross-point array에 selector device로 Al₂O₃ injection barrier 와 HfO₂/Al₂O₃ superlattice 구조로 구성된 dual oxide based metal ion threshold voltage device를 제안했다. TS device는 superlattice ratio(Hf₃Al₁, Hf₆Al₁, Hf...

      Cross-point array에 selector device로 Al₂O₃ injection barrier 와 HfO₂/Al₂O₃ superlattice 구조로 구성된 dual oxide based metal ion threshold voltage device를 제안했다. TS device는 superlattice ratio(Hf₃Al₁, Hf₆Al₁, Hf₉Al₁)를 다르게 해서 비교했다. Switching layer 내부의 Al₂O₃의 비율이 감소함에 따라 TS device의 threshold voltage(~0.2 V)가 감소했고, 낮은 off current(~10-11 A)가 유지되었다. 또한, Al₂O₃의 injection barrier의 삽입으로 인해 endurance를 증가시켰고, compliance current를 증가시켜 high selectivity(~107)를 구현했다.

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      목차 (Table of Contents)

      • Abstract
      • Ⅰ. Introduction
      • Ⅱ. Fabrication and Measurement
      • Ⅲ. Results and Discussion
      • Ⅳ. Conclusion
      • Abstract
      • Ⅰ. Introduction
      • Ⅱ. Fabrication and Measurement
      • Ⅲ. Results and Discussion
      • Ⅳ. Conclusion
      • References
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