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이 학술지의 논문 검색
High mobility CMOS technologies using III-V/Ge channels on Si platform
Takagi, S.; Kim, S. H.; Yokoyama, M.; Zhang, R.; Taoka, N.; Urabe, Y.; Yasuda, T.; Yamada, H.; Ichikawa, O.; Fukuhara, N.; Hata, M.; Takenaka, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.2-8
Influence of device architecture on junction leakage in low-temperature process FDSOI MOSFETs
Sklenard, B.; Batude, P.; Rafhay, Q.; Martin-Bragado, I.; Xu, C.; Previtali, B.; Colombeau, B.; Khaja, F. A.; Cristoloveanu, S.; Rivallin, P.; Tavernier, C.; Poiroux, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.9-14
Impact of local back biasing on performance in hybrid FDSOI/bulk high-k
Fenouillet-Beranger, C.; Perreau, P.; Benoist, T.; Richier, C.; Haendler, S.; Pradelle, J.; Bustos, J.; Brun, P.; Tosti, L.; Weber, O.; Andrieu, F.; Orlando, B.; Pellissier-Tanon, D.; Abbate, F.; Richard, C.; Beneyton, R.; Gregoire, M.; Ducote, J.; Gourau Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.15-20
Investigating doping effects on high-@k metal gate stack for effective work function engineering
Leroux, C.; Baudot, S.; Charbonnier, M.; Van Der Geest, A.; Caubet, P.; Toffoli, A.; Blaise, Ph.; Ghibaudo, G.; Martin, F.; Reimbold, G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.21-26
Flachowsky, S.; Herrmann, T.; Hontschel, J.; Illgen, R.; Ong, S. Y.; Wiatr, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.27-31
Scaling of high-@k/metal-gate TriGate SOI nanowire transistors down to 10nm width
Coquand, R.; Barraud, S.; Casse, M.; Leroux, P.; Vizioz, C.; Comboroure, C.; Perreau, P.; Ernst, E.; Samson, M. P.; Maffini-Alvaro, V.; Tabone, C.; Barnola, S.; Munteanu, D.; Ghibaudo, G.; Monfray, S.; Boeuf, F.; Poiroux, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.32-36
Investigation of electron mobility in surface-channel Al"2O"3/In"0"."5"3Ga"0"."4"7As MOSFETs
Negara, M. A.; Djara, V.; O'Regan, T. P.; Cherkaoui, K.; Burke, M.; Gomeniuk, Y. Y.; Schmidt, M.; O'Connor, E.; Povey, I. M.; Quinn, A. J.; Hurley, P. K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.37-42
Dutta, T.; Rafhay, Q.; Clerc, R.; Lacord, J.; Monfray, S.; Pananakakis, G.; Boeuf, F.; Ghibaudo, G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.43-48
Investigation of localized versus uniform strain as a performance booster in InAs Tunnel-FETs
Conzatti, F.; Pala, M. G.; Esseni, D.; Bano, E. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.49-53
Calibrated multi-subband Monte Carlo modeling of tunnel-FETs in silicon and III-V channel materials
Revelant, A.; Palestri, P.; Osgnach, P.; Selmi, L. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 p.54-60
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