Rochow 공정에서 반응 경로 연구 = Study on the Reaction Path for Rochow Direct Process

국문 초록 (Abstract)

구리 촉매를 이용하여 기체상태의 silanes 을 실리콘으로부터 직접 생성하는 공정이 Rochow 에 의해 제시되었고 이에 따라 silanes 생성에 관한 많은 연구가 진행되어 오고 있다. 본 연구에서는 실리콘 표면에 존재 하는 것으로 보고된 실리콘 활성점인 =SiCl2 와 =Si(CH3)Cl 에서 methylchloride(CH3Cl) 의 해리흡착에 따른 메틸그룹의 활성점 내 흡착과 역시 해리 흡착한 후 표면에 존재하여 표면 이동을 하는 것으로 간주되는 Cl 와 H 을 이용하여 생성되는 각 silanes 의 생성 경로를 제시하였다. 제시된 각 silanes 들의 생성 경로는 앞서 수행한 반응 과정 중 생성된 silanes 의 종류 와 함께 TPD 과정에서 생성되는 각 silanes 종류들의 생성 과정을 명확히 설명해 주고 있다. 더구나 silanes 직접 생산에서 사용되는 촉매인 구리 외에 활성 및 선택성을 높여 주는 것으로 알려진 아연과 주석의 역할까지 효과적으로 설명해주고 있다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Reaction pathes were proposed using dissociative adsorption of methylchloride and surface diffusion of surface Cl and H. The active silicon sites were considerred as =SlCl2 and =Sl(CH3)Cl. The synthesis path of many types of methylchlorosilanes were explained by the adsorption of methyl group on the silicon sites and the surface diffusion of nearby Cl and H to the silicon sites. And it also explained the silanes formed not only during reaction but also during TPD process. The proposed reaction path further explained the formation of many silanes with the role of catalyst (Cu) and promoters (Zn and Sn).

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Abstract
• 1. 서론
• 2. 새로운 silane 생성 반응 경로
• 3. 실험 결과 설명과 토론
• 4. 결론
• References