감광성 폴리벤조옥사졸 전구체의 광투과도 연구

국문 초록 (Abstract)

내열성이 우수하고 광에 의해 패턴화가 가능한 감광성 내열고분자 절연체는 반도체 소자의 passivation layer, buffer layer, chip scale packaging 등에 주로 쓰이고 있는 중요한 재료이다. 본 연구팀에서는, 노광부는 UV 노광, PEB 공정, 알칼리수용액에 의한 현상공정에 의해 제거되고, 비노광부는 열경화에 의해 우수한 내열성, 기계적강도, 전기적특성 등의 장점을 가지고 있는 폴리벤조옥사졸로 전환되는 감광성 polybezoxazole 전구체에 대한 연구를 수행하고 있다. 감광성 내열 절연체의 기본 요구특성으로는 투광성, 감광성, 현상성, 내열성 등이 있다. 이들 중 가장 기본적인 요구특성인 투광성은 약 10 ㎛의 두께를 요구하는 passivation layer등에의 사용하기 위해서는 반드시 고려되어야 하는 중요한 물성 중의 하나이다. 본 연구에서는 투광성의 향상을 위한 고분자 구조의 설계 및 합성, 그리고 이에 따른 광특성 변화에 대한 연구를 수행하였다. 연구결과, 고분자 구조 내에 있는 축중합 단량체의 종류에 따른 투광도의 변화가 크게 관찰되어지고 있었는데, 전자주게형 단량체 (bis-acid)와 전자받게형 단량체 (bis-amine)의 축합중합체 내에서 발생하는 전하 이동 착물의 형성에 따라 광투과도의 변화가 크게 변화하였으며, 이들 단량체의 전자주게 또는 전자받게의 성질과 각각의 조성을 조절함에 따라 광투과도의 조절이 가능함을 확인할 수 있었다.