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      반도체 소자 초미세 기술의 한계와 양자 전자소자 기술

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      국문 초록 (Abstract)

      반도체 초미세 소자 제작 및 응용 기술은 현대와 미래 정보통신 기술의 기반기술이다. 반도체 소자의 초미세화 기술은 앞으로 더욱 발전할 것으로 예상한다. 그러나, 이러한 기술 발전의 앞날에 여러 가지 문제점들을 예상할 수 있는데, 이러한 반도체 초미세 기술의 한계를 설명하고, 그 중에서도 초미세화에 따르는 양자효과에 관련한 문제점의 특성과 이를 긍정적으로 이용하고자 하는 양자효과소자 기술에 관련한 사항을 논의한다. 이 양자전자소자 기술을 나노급 초미세 구조 제작 기술, 나노 양자전자소자 기술, 양자수송 모델링 기술로 나누어 각 기술의 연구 현황 및 그 내용을 정리하였으며, 이 양자전자소자 기술에서 예상되는 문제점 등을 논의하였다.
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      반도체 초미세 소자 제작 및 응용 기술은 현대와 미래 정보통신 기술의 기반기술이다. 반도체 소자의 초미세화 기술은 앞으로 더욱 발전할 것으로 예상한다. 그러나, 이러한 기술 발전의 앞...

      반도체 초미세 소자 제작 및 응용 기술은 현대와 미래 정보통신 기술의 기반기술이다. 반도체 소자의 초미세화 기술은 앞으로 더욱 발전할 것으로 예상한다. 그러나, 이러한 기술 발전의 앞날에 여러 가지 문제점들을 예상할 수 있는데, 이러한 반도체 초미세 기술의 한계를 설명하고, 그 중에서도 초미세화에 따르는 양자효과에 관련한 문제점의 특성과 이를 긍정적으로 이용하고자 하는 양자효과소자 기술에 관련한 사항을 논의한다. 이 양자전자소자 기술을 나노급 초미세 구조 제작 기술, 나노 양자전자소자 기술, 양자수송 모델링 기술로 나누어 각 기술의 연구 현황 및 그 내용을 정리하였으며, 이 양자전자소자 기술에서 예상되는 문제점 등을 논의하였다.

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      목차 (Table of Contents)

      • 1. 반도체 소자 초미세 기술 근황
      • 2. 반도체 초미세 기술의 한계
      • 3. 반도체 소자 단순 축소화에 양자역학적 문제점
      • 3.1 채널 전도도의 양자화
      • 3.2 전자의 관통과 탄동적 운동
      • 1. 반도체 소자 초미세 기술 근황
      • 2. 반도체 초미세 기술의 한계
      • 3. 반도체 소자 단순 축소화에 양자역학적 문제점
      • 3.1 채널 전도도의 양자화
      • 3.2 전자의 관통과 탄동적 운동
      • 3.3 전자의 간섭 현상
      • 4. 양자효과의 긍정적 이용
      • 5. 양자전자소자 기술 발전
      • 5.1 나노급 반도체 초미세구조 제작 기술
      • 5.2 나노 양자전자소자 기술
      • 5.3 나노 양자전자소자 모델링
      • 6. 양자전자소자 기술의 예상 문제점
      • 7. 맺음말
      • ·참고문헌
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