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      마스크 뒷면에 동심원 격자를 사용한 변형조명 방법 = Modified Illumination with a Concentric Circular Grating at the Backside of a Photomask

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      https://www.riss.kr/link?id=A101055579

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      Modified illumination techniques have been used to enhance the resolution of the sub-wavelength lithography. But, since they shield the central part of incident light, the light efficiency is seriously degraded, which in turn reduces the throughput of a lithography process. In this research, we introduced an annular illumination structure that enhances the light efficiency with a concentric circular grating at the backside of a photomask. The efficiency of the structure was theoretically analyzed.
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      Modified illumination techniques have been used to enhance the resolution of the sub-wavelength lithography. But, since they shield the central part of incident light, the light efficiency is seriously degraded, which in turn reduces the throughput of...

      Modified illumination techniques have been used to enhance the resolution of the sub-wavelength lithography. But, since they shield the central part of incident light, the light efficiency is seriously degraded, which in turn reduces the throughput of a lithography process. In this research, we introduced an annular illumination structure that enhances the light efficiency with a concentric circular grating at the backside of a photomask. The efficiency of the structure was theoretically analyzed.

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      참고문헌 (Reference)

      1 "마스크 뒷면에 2 위상 회절 격자를 구현한 변형 조명 방법" 17 (17): 697-, 2004.

      2 "Subhalf Micron Lithography System with Phase-shifting Effect" 92-, 1992.

      3 "Principles of Optics" Pergamon Press Oxford 395-, 1985.

      4 "Photo- graphic system using annular illumination" 30 (30): 3021-, 1991.

      5 "KrF excimer laser lithography with a dummy diffraction mask" 29 (29): 317-, 1996.

      6 "High performance lithography with advanced modified illumi- nation" 77-c (77-c): 432-, 1994.

      7 "A Concept for a High Re- solution Optical Lithographic System for Producing One-half Micron Linewidths" 228-, 1986.

      1 "마스크 뒷면에 2 위상 회절 격자를 구현한 변형 조명 방법" 17 (17): 697-, 2004.

      2 "Subhalf Micron Lithography System with Phase-shifting Effect" 92-, 1992.

      3 "Principles of Optics" Pergamon Press Oxford 395-, 1985.

      4 "Photo- graphic system using annular illumination" 30 (30): 3021-, 1991.

      5 "KrF excimer laser lithography with a dummy diffraction mask" 29 (29): 317-, 1996.

      6 "High performance lithography with advanced modified illumi- nation" 77-c (77-c): 432-, 1994.

      7 "A Concept for a High Re- solution Optical Lithographic System for Producing One-half Micron Linewidths" 228-, 1986.

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      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.13 0.13 0.13
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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