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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      Polyurethane triblock copolymer gate dielectrics for low-voltage organic thin-film transistors

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      https://www.riss.kr/link?id=A107464576

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      <P><B>Abstract</B></P> <P>Novel polyurethane triblock copolymers comprising polycaprolactone diol (PCL), 1,6-hexamethylene diisocyanate (HMDI), and polyethylene glycol (PEG) were synthesized for use as gate dielectric for organic thin-film transistors (OTFTs). Thin films of polyurethane gate dielectrics processed from solution exhibit excellent insulating properties (∼7×10<SUP>−7</SUP> A/cm<SUP>2</SUP> at 1V) as well as large areal capacitance (170nF/cm<SUP>2</SUP>) with film thickness of ∼50nm. OTFTs are fabricated with representative n-channel organic semiconductor (N,N′-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide; PTCDI-C13) using the developed gate dielectrics, and the resulting devices show decent electrical performance with negligible hysteresis at low operating voltage of 1V.</P>
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      <P><B>Abstract</B></P> <P>Novel polyurethane triblock copolymers comprising polycaprolactone diol (PCL), 1,6-hexamethylene diisocyanate (HMDI), and polyethylene glycol (PEG) were synthesized for use as gate dielectric fo...

      <P><B>Abstract</B></P> <P>Novel polyurethane triblock copolymers comprising polycaprolactone diol (PCL), 1,6-hexamethylene diisocyanate (HMDI), and polyethylene glycol (PEG) were synthesized for use as gate dielectric for organic thin-film transistors (OTFTs). Thin films of polyurethane gate dielectrics processed from solution exhibit excellent insulating properties (∼7×10<SUP>−7</SUP> A/cm<SUP>2</SUP> at 1V) as well as large areal capacitance (170nF/cm<SUP>2</SUP>) with film thickness of ∼50nm. OTFTs are fabricated with representative n-channel organic semiconductor (N,N′-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylic diimide; PTCDI-C13) using the developed gate dielectrics, and the resulting devices show decent electrical performance with negligible hysteresis at low operating voltage of 1V.</P>

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