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SET Characterization in Logic Circuits Fabricated in a 3DIC Technology
Gouker, P. M.; Tyrrell, B.; Renzi, M.; Chen, C.; Wyatt, P.; Ahlbin, J. R.; Weeden-Wright, S.; Atkinson, N. M.; Gaspard, N. J.; Bhuva, B. L. IEEE; 1999 2011 p.2555-2562
Laser- and Heavy Ion-Induced Charge Collection in Bulk FinFETs
El-Mamouni, F.; Zhang, E. X.; Pate, N. D.; Hooten, N.; Schrimpf, R. D.; Reed, R. A.; Galloway, K. F.; McMorrow, D.; Warner, J.; Simoen, E. IEEE; 1999 2011 p.2563-2569
Zanchi, A.; Buchner, S.; Hafer, C.; Hisano, S.; Kerwin, D. B. IEEE; 1999 2011 p.2570-2577
Effect of Transistor Density and Charge Sharing on Single-Event Transients in 90-nm Bulk CMOS
Atkinson, N. M.; Ahlbin, J. R.; Witulski, A. F.; Gaspard, N. J.; Holman, W. T.; Bhuva, B. L.; Zhang, E. X.; Chen, L.; Massengill, L. W. IEEE; 1999 2011 p.2578-2584
Influence of N-Well Contact Area on the Pulse Width of Single-Event Transients
Ahlbin, J. R.; Atkinson, N. M.; Gadlage, M. J.; Gaspard, N. J.; Bhuva, B. L.; Loveless, T. D.; Zhang, E. X.; Chen, L.; Massengill, L. W. IEEE; 1999 2011 p.2585-2590
The Effects of Neutron Energy and High-Z Materials on Single Event Upsets and Multiple Cell Upsets
Clemens, M. A.; Sierawski, B. D.; Warren, K. M.; Mendenhall, M. H.; Dodds, N. A.; Weller, R. A.; Reed, R. A.; Dodd, P. E.; Shaneyfelt, M. R.; Schwank, J. R. IEEE; 1999 2011 p.2591-2598
Combining GEANT4 and TIARA for Neutron Soft Error-Rate Prediction of 65 nm Flip-Flops
Uznanski, S.; Gasiot, G.; Roche, P.; Semikh, S.; Autran, J. L. IEEE; 1999 2011 p.2599-2606
Raine, M.; Hubert, G.; Gaillardin, M.; Paillet, P.; Bournel, A. IEEE; 1999 2011 p.2607-2613
Impact of Well Structure on Single-Event Well Potential Modulation in Bulk CMOS
Gaspard, N. J.; Witulski, A. F.; Atkinson, N. M.; Ahlbin, J. R.; Holman, W. T.; Bhuva, B. L.; Loveless, T. D.; Massengill, L. W. IEEE; 1999 2011 p.2614-2620
Angular Dependence of Heavy-Ion Induced Errors in Floating Gate Memories
Gerardin, S.; Bagatin, M.; Paccagnella, A.; Visconti, A.; Bonanomi, M.; Beltrami, S. IEEE; 1999 2011 p.2621-2627
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