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Properties of Cu2ZnSn(SxSe1x)4 thin films prepared by one-step sulfo-selenization of alloyed metal precursors
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-
저자
Muhamad Ikhlasul Amal (영남대학교) ; 이상현 (영남대학교) ; 김규호 (영남대학교)
- 발행기관
- 학술지명
- 권호사항
-
발행연도
2014
-
작성언어
English
- 주제어
-
등재정보
KCI등재,SCOPUS,SCIE
-
자료형태
학술저널
-
수록면
916-921(6쪽)
-
KCI 피인용횟수
15
- 제공처
-
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다국어 초록 (Multilingual Abstract)
The pentenary system, Cu2ZnSn(SxSe1x)4 (CZTSSe), is a promising alternative for thin film solar cells. In this study, CZTSSe thin films were prepared using a two-stage process involving the thermal diffusion of sulfur (S) and selenium (Se) vapors into sputtered metallic precursors at approximately 450 C. The effects of the sulfur content on the composition, structure, optical and electrical characteristics of the CZTSSe thin films were investigated. The films showed a kesterite structure with a predominant (112) orientation. X-ray diffraction and Raman spectroscopy confirmed the formation of a single phase CZTSSe compound. The band gap was dependent on the sulfur content and was calculated to be 1.25 eV, 1.33 eV and 1.40 eV for CZTSSe films with a S/(S þ Se) ratio of 0.3, 0.5 and 0.7, respectively. All films exhibited ptype semiconductor properties.
The pentenary system, Cu2ZnSn(SxSe1x)4 (CZTSSe), is a promising alternative for thin film solar cells. In this study, CZTSSe thin films were prepared using a two-stage process involving the thermal diffusion of sulfur (S) and selenium (Se) vapors into sputtered metallic precursors at approximately 450 C. The effects of the sulfur content on the composition, structure, optical and electrical characteristics of the CZTSSe thin films were investigated. The films showed a kesterite structure with a predominant (112) orientation. X-ray diffraction and Raman spectroscopy confirmed the formation of a single phase CZTSSe compound. The band gap was dependent on the sulfur content and was calculated to be 1.25 eV, 1.33 eV and 1.40 eV for CZTSSe films with a S/(S þ Se) ratio of 0.3, 0.5 and 0.7, respectively. All films exhibited ptype semiconductor properties.
참고문헌 (Reference)
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9 T. Schnabel, 117 : 324-328, 2013
10 M. Altosaar, 205 : 167-170, 2008
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20 Seung Wook Shin, "Band gap tunable and improved microstructure characteristics of Cu2ZnSn(S1-x,Sex)4 thin films by annealing under atmosphere containing S and Se" 한국물리학회 13 (13): 1837-1843, 2013
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분석정보
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| 2023 | 평가예정 | 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가) | |
| 2020-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) | |
| 2008-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
| 2007-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) |  |
| 2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) | |
학술지 인용정보
| 기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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| 2016 | 1.8 | 0.18 | 1.17 |
| KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
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