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      Physical Properties of A(Cu1/3Nb2/3)O3 (A = Ba, Sr, Ca)-substituted BaTiO3 System Grown by Using Aerosol Deposition

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      https://www.riss.kr/link?id=A104325908

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      The physical properties of the lead-free piezoelectric material BaTiO3 (BT) with complex perovskitephase additives, i.e., A(Cu1/3Nb2/3)O3 (A = Ba, Sr, Ca), were investigated. The denseand crack-free thick films with thickness of > 5 µm were grown on platinized Si(100) wafers byusing the aerosol deposition method (AD) at room temperature. Compared to pure BT grownby using AD, complex perovskite-substituted BT thick films showed improved physical propertiesand film quality even after post annealing. The optimal amount of the additives and the optimalpost annealing temperature were determined in accordance with the dielectric and the ferroelectricproperties.
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      The physical properties of the lead-free piezoelectric material BaTiO3 (BT) with complex perovskitephase additives, i.e., A(Cu1/3Nb2/3)O3 (A = Ba, Sr, Ca), were investigated. The denseand crack-free thick films with thickness of > 5 µm were grown ...

      The physical properties of the lead-free piezoelectric material BaTiO3 (BT) with complex perovskitephase additives, i.e., A(Cu1/3Nb2/3)O3 (A = Ba, Sr, Ca), were investigated. The denseand crack-free thick films with thickness of > 5 µm were grown on platinized Si(100) wafers byusing the aerosol deposition method (AD) at room temperature. Compared to pure BT grownby using AD, complex perovskite-substituted BT thick films showed improved physical propertiesand film quality even after post annealing. The optimal amount of the additives and the optimalpost annealing temperature were determined in accordance with the dielectric and the ferroelectricproperties.

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      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
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