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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      CdTe다결정 박막의 운반자 농도에 관한 연구 = Study on the Carrier Concentration of CdTe Polycrystalline Thin Films

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      https://www.riss.kr/link?id=A2008767

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      In this paper, we measure the electrical property of the Cadmium Teluride polycrystalline thin films. The thin films are fabricated by coevaporating CdTe and Te on the slide glass. The measured electrical properties are as follows: In indium ambience, after annealing in 400℃ carrier concentration is 4.300-5.400×10??? and mobility 14-17cm² Vsec according to the annealing time. In the bulk, Hall voltage is ??? = (Bl)/(nqd), mobility μ= ???, Hall coefficient ???= 1/(nq), letting Hall coefficient of thin film ??? = η/(???). From the carrier concentration of the bulk, we derived the carrier concentration of the polycrystalline thin films.
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      In this paper, we measure the electrical property of the Cadmium Teluride polycrystalline thin films. The thin films are fabricated by coevaporating CdTe and Te on the slide glass. The measured electrical properties are as follows: In indium ambience,...

      In this paper, we measure the electrical property of the Cadmium Teluride polycrystalline thin films. The thin films are fabricated by coevaporating CdTe and Te on the slide glass. The measured electrical properties are as follows: In indium ambience, after annealing in 400℃ carrier concentration is 4.300-5.400×10??? and mobility 14-17cm² Vsec according to the annealing time. In the bulk, Hall voltage is ??? = (Bl)/(nqd), mobility μ= ???, Hall coefficient ???= 1/(nq), letting Hall coefficient of thin film ??? = η/(???). From the carrier concentration of the bulk, we derived the carrier concentration of the polycrystalline thin films.

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