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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Doping-concentration Dependence of a Boron-doped p-type Ge layer Grown on a Si (100) Substrates by Using RTCVD

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      https://www.riss.kr/link?id=A104121601

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      Boron-doped p-type Ge layers were grown on n-type Si (100) wafers at various boron dopingconcentrations by using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD). The root-meansquare(RMS) was surface roughness of p-type Ge layer increase from 0.708 nm to 19.980 nm asthe doping concentrations increase from 3 × 1016 cm−3 to 4 × 1022 cm−3. From High ResolutionX-ray diffraction (HR-XRD), the in-plane lattice constants and tensile strains of the p-type Ge layerwere evaluated as function of boron doping concentration the Raman shift of the for each locationindicate a tensile strain from the p-type Ge layer. The tensile strain of the p-type Ge layer decreasesfrom 0.071% to 0.032% as the boron doping concentrations increases from 3 × 1016 cm−3 to 4 ×1022 cm−3. Moreover, the photocurrent peak energies increased. The temperature dependence ofthe direct band-gap energy, E, of the p-type Ge layer could be described by using Varshnis empiricalexpression: E(T) = 0.86 – 5.82 × 10−4 T2/(T + 296).
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      Boron-doped p-type Ge layers were grown on n-type Si (100) wafers at various boron dopingconcentrations by using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD). The root-meansquare(RMS) was surface roughness of p-type Ge layer increase from 0.708 nm ...

      Boron-doped p-type Ge layers were grown on n-type Si (100) wafers at various boron dopingconcentrations by using Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD). The root-meansquare(RMS) was surface roughness of p-type Ge layer increase from 0.708 nm to 19.980 nm asthe doping concentrations increase from 3 × 1016 cm−3 to 4 × 1022 cm−3. From High ResolutionX-ray diffraction (HR-XRD), the in-plane lattice constants and tensile strains of the p-type Ge layerwere evaluated as function of boron doping concentration the Raman shift of the for each locationindicate a tensile strain from the p-type Ge layer. The tensile strain of the p-type Ge layer decreasesfrom 0.071% to 0.032% as the boron doping concentrations increases from 3 × 1016 cm−3 to 4 ×1022 cm−3. Moreover, the photocurrent peak energies increased. The temperature dependence ofthe direct band-gap energy, E, of the p-type Ge layer could be described by using Varshnis empiricalexpression: E(T) = 0.86 – 5.82 × 10−4 T2/(T + 296).

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