본 논문은 고속 메모리 인터페이스를 위한 멀티레벨 시그널링 트랜시버 기술을 주제로 두 가지 연구를 제시한다. 첫 번째 연구에서는 GDDR 인터페이스를
대상으로 21 Gb/s 듀오바이너리 트랜시...
본 논문은 고속 메모리 인터페이스를 위한 멀티레벨 시그널링 트랜시버 기술을 주제로 두 가지 연구를 제시한다. 첫 번째 연구에서는 GDDR 인터페이스를
대상으로 21 Gb/s 듀오바이너리 트랜시버를 제안한다. 제안된 트랜시버는 GDDR 임피던스 규격을 만족하는 듀오바이너리 전압모드 드라이버와 시간 인터리브
방식의 successive-approximation 수신기를 포함하며, 채널 손실 환경에서의 동작 여유를 개선하고 에너지 효율적인 수신을 가능하게 한다. 두 번째 연구에서는
차세대 메모리 링크가 요구하는 다양한 채널 조건과 데이터 전송률을 유연하게 대응하기 위해, 16 Gb/s NRZ 및 28 Gb/s PAM4/PAM7을 지원하는 트리플모드
트랜시버를 제안한다. 송신기는 입력 신호를 단일 레벨 데이터로 변환하는 인코더-드라이버 구조를 통해 PAM7 각 출력 전압 레벨을 독립적으로 제어할 수 있도록
설계되었으며, 수신기는 다중 기준 전압을 사용하는 분산형 아날로그 프론트엔드와 효율적인 레벨 디텍션 구조를 통해 멀티레벨 신호의 선형성을 향상시키고 수신
아날로그 복잡도를 완화한다. 제작된 28-nm CMOS 프로토타입을 통해, 채널 손실 조건에 따라 각 시그널링 모드의 특성이 달라짐을 확인하였으며, NRZ 및
PAM4로는 동작이 어려운 손실 환경에서도 PAM7을 이용한 안정적인 데이터 수신이 가능함을 검증하였다. 종합적으로, 본 논문은 고속 메모리 인터페이스
환경에서 듀오바이너리 및 멀티레벨 시그널링의 실용적 적용을 위한 트랜시버 설계 방향과 핵심 회로 기법을 제시하며, 대역폭이 제한되고 손실이 큰 채널 환경에서도
신뢰성 있는 데이터 전송을 가능하게 하는 효과적인 방안을 제안한다.