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      두 가지 타입의 CuPC FET 전극 구조에서의 전기적 특성 = Electrical Properties of CuPc FET Using Two-type Electrode Structure

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      https://www.riss.kr/link?id=A101053527

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      We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different device structure as a bottom and top contact FET. Also, we used a $SiO_2$ as a gate insulator and analyzed using a current-voltage (I-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device. In order to discuss the channel formation, we were observed the capacitance-gate voltage(C-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device.
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      We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different device structure as a bottom and top contact FET. Also, we used a $SiO_2$ as a gate insulator and analyzed using a current-voltage (I-V) characteristics of the b...

      We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different device structure as a bottom and top contact FET. Also, we used a $SiO_2$ as a gate insulator and analyzed using a current-voltage (I-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device. In order to discuss the channel formation, we were observed the capacitance-gate voltage(C-V) characteristics of the bottom and top contact CuPc FET device.

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      참고문헌 (Reference)

      1 T. Manaka, 438 : 157-, 2003

      2 E. Lim, 45 : 3712-, 2006

      3 Y. M. Kim, 15 : 233-, 2002

      4 H. W. Hwang, 11 : 522-, 2002

      5 S. K. Cheng, 15 : 233-, 2002

      6 C. R. Kagan, "Thin-Film Transistor" Marcel Dekker Inc 2003

      7 Takaaki Manaka, "Investigation of the surface potential formed in Alq3 films on metal surface by Kelvin probe and nonlinear optical measurement" 한국물리학회 6 (6): 877-881, 2006

      8 Ho Shik Lee, "Electrical Properties of CuPc FET with Different Substrate Temperature" 한국전기전자재료학회 8 (8): 170-173, 2007

      9 이호식, "CuPc 두께 변화 및 채널 길이 변화에 따른전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 연구" 한국전기전자재료학회 20 (20): 47-52, 2007

      1 T. Manaka, 438 : 157-, 2003

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      8 Ho Shik Lee, "Electrical Properties of CuPc FET with Different Substrate Temperature" 한국전기전자재료학회 8 (8): 170-173, 2007

      9 이호식, "CuPc 두께 변화 및 채널 길이 변화에 따른전계 효과 트랜지스터의 전기적 특성 연구" 한국전기전자재료학회 20 (20): 47-52, 2007

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      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-05-30 학회명변경 영문명 : 미등록 -> The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2001-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      1998-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.14 0.14 0.247 0.06
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