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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      참고문헌 (Reference)

      1 "http://www.samsung.com/global/business/semicon ductor/products/flash/Products_Toggle_DDR_NAN DFlash.html"

      2 Majzoub, S., "PVT variation impact on voltage island formation in MPSoC design" 2009

      3 Eyee Hyun Nam, "Ozone (O3): An Out-of-Order Flash Memory Controller Architecture" 653-666, 2011

      4 Kinam Kim, "Future Outlook of NAND Flash Technology for 40nm Node and Beyond" 2006

      5 Ji-Yong Shin, "FTL design exploration in reconfigurable high-performance SSD for server applications" 2009

      6 Feng Chen, "Essential roles of exploiting internal parallelismof flash memory based solid state drives inhigh-speed data processing" 2011

      7 D. Nobunaga, "A 50nm 8Gb NAND Flash Memory with 100MB/s Program Throughput and 200MB/s DDR Interface" 426-427, 2008

      8 Hyunggon Kim, "A 159mm 32nm 32Gb MLC NAND-Flash Memory with 200MB/s Asynchronous DDR Interface"

      1 "http://www.samsung.com/global/business/semicon ductor/products/flash/Products_Toggle_DDR_NAN DFlash.html"

      2 Majzoub, S., "PVT variation impact on voltage island formation in MPSoC design" 2009

      3 Eyee Hyun Nam, "Ozone (O3): An Out-of-Order Flash Memory Controller Architecture" 653-666, 2011

      4 Kinam Kim, "Future Outlook of NAND Flash Technology for 40nm Node and Beyond" 2006

      5 Ji-Yong Shin, "FTL design exploration in reconfigurable high-performance SSD for server applications" 2009

      6 Feng Chen, "Essential roles of exploiting internal parallelismof flash memory based solid state drives inhigh-speed data processing" 2011

      7 D. Nobunaga, "A 50nm 8Gb NAND Flash Memory with 100MB/s Program Throughput and 200MB/s DDR Interface" 426-427, 2008

      8 Hyunggon Kim, "A 159mm 32nm 32Gb MLC NAND-Flash Memory with 200MB/s Asynchronous DDR Interface"

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      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2014-12-11 학술지명변경 외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea -> Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2014-01-21 학회명변경 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-10-17 학술지명변경 한글명 : 대한전자공학회 논문지 -> 전자공학회논문지 KCI등재
      2005-05-27 학술지등록 한글명 : 대한전자공학회 논문지
      외국어명 : journal of The Institute of Electronics Engineers of Korea      		 KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.27 0.27 0.25
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.22 0.19 0.427 0.09
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