반도체 공정 기술 = Processing technology for semiconductor device

목차 (Table of Contents)

• 목차
• 제1장 반도체 특성 = 1
• 제1절 반도체 개요 = 1
• 1. 반도체의 정의 = 1
• 2. 반도체 재료 = 1
• 제2절 물질의 구조 = 3
• 1. 결정 = 3
• 2. 결정 격자 = 3
• 제3절 웨이퍼의 종류와 특성 = 9
• 1. 웨이퍼 개요 = 9
• 2. 웨이퍼 용어 = 10
• 3. 웨이퍼의 종류 = 11
• 제4절 원자구조 및 특성 = 13
• 1. 원자구조와 주기율표 = 13
• 제5절 에너지 대역과 반도체에서의 전하 캐리어 = 21
• 1. 고체에서의 결합력과 에너지 대역 = 21
• 2. 반도체 내의 전하 캐리어 = 27
• 3. 반도체에서의 전도기구 = 35
• 4. 비평형 과잉 캐리어 = 40
• 제6절 접합 = 46
• 1. PN 접합의 제조 = 46
• 2. 평형상태의 PN 접합 = 48
• 3. 평형상태의 PN 접합 에너지 대역구조 = 49
• 4. 접촉전위차와 공간전하영역 = 50
• 5. 공간전하 폭 = 52
• 6. PN 접합의 바이어스 효과 = 53
• 제7절 반도체 공정 = 56
• 1. 반도체 기본공정 = 56
• 2. 반도체 제조공정 = 57
• 3. CMOS 제조공정 = 63
• 제2장 산화공정 및 확산공정 = 73
• 제1절 산화공정 = 73
• 1. 산화공정의 원리 = 73
• 2. 산화모델 = 75
• 3. 산화방법 = 96
• 4. 열처리공정 = 96
• 제2절 확산공정 = 98
• 1. 확산소스 = 98
• 2. 확산의 분포 = 100
• 3. 확산공정 = 105
• 제3장 포토리소그래피 공정 = 112
• 제1절 기본특성 = 112
• 1. 사진석판기술의 발전 = 112
• 2. 이미지형성 = 114
• 3. 해상도 = 120
• 4. 광원 = 121
• 5. 초점심도 = 123
• 6. 매스크 = 125
• 제2절 감광제 형성공정 = 129
• 1. 기본특성 = 133
• 2. 감광막 형성공정 = 144
• 제4장 식각공정 및 세정공정 = 140
• 제1절 식각공정 = 140
• 1. 식각원리 = 140
• 2. 식각공정의 요구사항 = 145
• 3. 식각방법 = 145
• 4. 식각공정 = 156
• 제2절 세정공정 = 164
• 1. 세정공정 소스 = 164
• 2. 세정방법 = 165
• 3. 세정공정 = 167
• 제5장 이온주입 공정 = 179
• 제1절 기본특성 = 179
• 1. 이온주입의 특성 = 179
• 2. 이온주입의 원리 = 180
• 3. 이온주입의 분포특성 = 182
• 4. 결정결함의 발생 = 185
• 5. 이온주입 기술의 변화 = 186
• 6. 이온주입장치 = 187
• 제2절 이온주입공정 = 193
• 1. 다결정 실리콘의 이온주입 = 193
• 2. n 및 p 웰의 이온주입 = 194
• 3. 소오스 및 드레인의 이온주입 = 195
• 제6장 화학기상증착 공정 = 197
• 제1절 기본특성 = 197
• 1. 박막의 특성 = 197
• 2. 박막형성법의 분류 = 197
• 3. 박막형성 장치의 분류 = 199
• 제2절 박막형성 공정 = 200
• 1. 화학기상증착법 = 200
• 2. 상압 CVD법 = 207
• 3. 저압 CVD법 = 208
• 4. 플라즈마 CVD법 = 210
• 5. 스핀코팅 CVD법 = 212
• 제7장 금속 공정 = 216
• 제1절 기본특성 = 216
• 1. 금속층의 특성 = 216
• 2. 옴성접촉 형성 = 216
• 3. 비저항 = 218
• 4. 금속 CVD의 종류 = 218
• 5. 금속 CVD의 특성 = 220
• 제2절 금속공정의 특성 = 221
• 1. PVD 공정 = 221
• 2. ALD 공정 = 231
• 3. 스텝커버리지 = 234
• 제3절 금속공정 = 237
• 1. FEOL공정 = 기판공정 = 237
• 2. MEOL공정 = 240
• 3. BEOL공정 = 베선공정 = 237
• 제8장 패키지공정 = 257
• 제1절 기본특성 = 257
• 1. 주요기능 = 257
• 2. 패키지기술의 발전 = 258
• 3. 패키지의 분류 = 260
• 제2절 패키지공정 = 261
• 1. 웨이퍼의 선별 - EDS법 = 261
• 2. 웨이퍼 백그라인드 = 262
• 3. 웨이퍼 절단 = 264
• 4. 다이접착 = Die Mount 또는 Die Bond = 265
• 5. 와이어(선) 본딩 = 267
• 6. 몰딩 = 273
• 7. 트리밍 및 포밍 = 273
• 8. 리드선 가공 = 274
• 9. 테이프 자동접착 = 275
• 10. 다이코팅 = 277
• 11. 마킹 및 출하 = 278