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      Ku-band용 Double Balanced MMIC Mixer의 설계 및 제작 = Design of Double Balanced MMIC Mixer for Ku-band

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      https://www.riss.kr/link?id=A40002136

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      A MMIC (monolithic microwave integrated circuit) mixer chip using the Schottky diode of an InGaAs/GaAs p-HEMT process has been developed for the receiver down converter of Ku-band. A different approach to the MMIC mixer structure is applied for reducing the chip size by the exchange of ports between IF and LO. This MMIC covers with RF (14.0 - 14.5 GHz) and IF (12.252 - 12.752 GHz). According to the on-wafer measurement, the miniature (3.3X3.0 mm) MMIC mixer demonstrates conversion loss below 9.8 dB3, RF-to-IF isolation above 23 dB, LO-to-IF isolation above 38 dB, respectively.
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      A MMIC (monolithic microwave integrated circuit) mixer chip using the Schottky diode of an InGaAs/GaAs p-HEMT process has been developed for the receiver down converter of Ku-band. A different approach to the MMIC mixer structure is applied for reduci...

      A MMIC (monolithic microwave integrated circuit) mixer chip using the Schottky diode of an InGaAs/GaAs p-HEMT process has been developed for the receiver down converter of Ku-band. A different approach to the MMIC mixer structure is applied for reducing the chip size by the exchange of ports between IF and LO. This MMIC covers with RF (14.0 - 14.5 GHz) and IF (12.252 - 12.752 GHz). According to the on-wafer measurement, the miniature (3.3X3.0 mm) MMIC mixer demonstrates conversion loss below 9.8 dB3, RF-to-IF isolation above 23 dB, LO-to-IF isolation above 38 dB, respectively.

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